有傳聞表示，作為明年上半年的旗艦處理器，高通驍龍830將會采用四個大核心、四個小核心的八核Kryo架構(gòu)設(shè)計(jì)，最高頻率為2.6GHz，10nm工藝制造。并且，高通驍龍830正在醞釀改名，可能835甚至850，也可能不改。高通內(nèi)部有意見認(rèn)為：這樣可以促進(jìn)營銷效果。

近日，根據(jù)國外科技網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)指出，高通已經(jīng)開始為下年的旗艦芯驍龍830準(zhǔn)備新的快充技術(shù)——QC4.0，它能夠在任意時刻精確地識別電池需要的充電功率，具備安全檢測功能。

高通快充全稱QucikCharge，QC1.0最常見的規(guī)格是現(xiàn)在低端機(jī)上的5V2A充電；QC2.0走的高電壓路線，最常見的是9V和12V的電壓，功率一般在15-20W附近；QC3.0著重提升的是充電效率，INOV技術(shù)可提供200mV的步進(jìn)電壓調(diào)節(jié)梯度，提升速度之余可以減輕手機(jī)的發(fā)熱。

QC 4.0快充，傳聞最高攻略可達(dá)28W的功率，采用5V/4.7A~5.6A和9V/3A（舍棄了12V），同時INOV技術(shù)的步進(jìn)電壓精度提升到10mV，進(jìn)一步提升充電效率并減輕發(fā)熱。

預(yù)計(jì)由明年的驍龍830平臺首發(fā)，而且甚至可能整合到SoC當(dāng)中，但暫時未知會否提供獨(dú)立的電源芯片，讓其他SoC也能享受新的快充。

事實(shí)上，高通采用的是一種被稱為“最佳電壓智能協(xié)商算法”的技術(shù)，它能夠在任意時刻精確地識別電池需要的充電功率，避免出現(xiàn)過熱甚至爆炸等情況。坦白說，此前三星Galaxy Note 7的爆炸事件已經(jīng)讓消費(fèi)者更加重視手機(jī)的安全性能。

外界猜測，支持Quick Charge 4.0技術(shù)的智能手機(jī)很有可能會在明年第一季度正式進(jìn)入市場。