中芯國(guó)際12月21日宣布蔣尚義博士獲委任為該公司第三類獨(dú)立非執(zhí)行董事，自2016年12月20日起生效。

作為中芯國(guó)際獨(dú)立非執(zhí)行董事，按照服務(wù)合約，蔣尚義獲得40000美元的年度現(xiàn)金酬金及187500可供認(rèn)購(gòu)普通股和187500受限制股份。

蔣尚義的薪酬方案由董事會(huì)根據(jù)本公司董事及高級(jí)管理人員薪酬政策及參考董事會(huì)的薪酬委員會(huì)的建議厘定。

蔣尚義現(xiàn)年70歲，1968年獲臺(tái)大電子工程學(xué)學(xué)士學(xué)位，1970年獲普林斯頓大學(xué)電子工程學(xué)碩士學(xué)位，1974年獲史丹佛大學(xué)電子工程學(xué)博士學(xué)位。

蔣尚義畢業(yè)后曾在德州儀器和惠普工作，1997年擔(dān)任臺(tái)積電研發(fā)副總經(jīng)理，之后曾擔(dān)任臺(tái)積電共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)，2013年退休后，曾擔(dān)任臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀顧問2年。

蔣尚義于1997年加入臺(tái)積電，在2006年首次退休前，帶領(lǐng)臺(tái)積透過自主研發(fā)，一路從0.25微米、0.18微米、0.15微米、0.13微米、90納米到65納米世代，屢屢締創(chuàng)臺(tái)積在全球半導(dǎo)體制程技術(shù)領(lǐng)先的重要里程碑。

蔣尚義在臺(tái)積電立下許多戰(zhàn)功，包括協(xié)助臺(tái)積電完成自主研發(fā)0.13微米銅制程技術(shù)，完成28納米高介電金屬閘極（HKMG）制程轉(zhuǎn)換，以及16納米FinFET制程轉(zhuǎn)換等。

在臺(tái)積電期間，蔣尚義將研發(fā)團(tuán)隊(duì)從120人擴(kuò)編至2013年的7000多人，年度研發(fā)經(jīng)費(fèi)更從25億臺(tái)幣激增至2011年的350億臺(tái)幣，被臺(tái)積電員工尊稱為“蔣爸”。

蔣尚義第一次退休后，由于梁孟松出走三星，于2009年再受張忠謀之邀，回任領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)組織，在28納米、20納米與16納米鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET），持續(xù)創(chuàng)造臺(tái)積電先進(jìn)技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。2013年底二度退休時(shí)，在臺(tái)積電任共同首席運(yùn)營(yíng)官一職，退休后還擔(dān)任臺(tái)積電兩年董事長(zhǎng)顧問，目標(biāo)是讓臺(tái)積電7nm做到世界領(lǐng)先。

此前有傳聞稱，蔣尚義退休的幾年并沒有閑著，心血依舊在為臺(tái)積電規(guī)劃未來10年技術(shù)藍(lán)圖，包括7納米以下極紫外光（EUV）微影技術(shù)布局，以及18寸晶圓廠投資計(jì)劃等，最終超越英特爾，成為全球技術(shù)最先進(jìn)的芯片制造商。