集邦咨詢半導體研究中心（DRAMeXchange）最新研究顯示，由于原廠先進制程質量問題頻傳，第二季標準型內存供貨吃緊情況未見舒緩，價格漲幅超乎預期。就目前的成交價格看來，第二季4GB DDR4模組合約均價來到27美元，相較第一季的24美元，上漲幅度約12.5%。

DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，進入第二季，全球內存市場仍呈現(xiàn)供貨吃緊的狀態(tài)，各PC OEM大廠正陸續(xù)與主要DRAM原廠議定新季度的合約價格。原先市場期待供給即將增加，但由于三星、美光等先進大廠在18或17納米上都出現(xiàn)質量異常的狀況，使得供貨吃緊的態(tài)勢仍未得到紓解，第二季整體DRAM確定維持上漲走勢。

三星、美光制程轉進遇瓶頸，供貨吃緊短期難解

從第一季中開始，三星18納米的標準型內存產品陸續(xù)進入量產階段，但由于先進制程的設計難度高，在生產的過程中容易與部分筆電的平臺出現(xiàn)兼容性相關的問題，導致產線的不良率過高，影響出貨。目前三星半導體正積極解決該異常狀況，但出貨不順的現(xiàn)況使供貨吃緊的態(tài)勢未能舒緩。

同時，美光的17納米產品也在第一季中陸續(xù)送交樣品給客戶做測試，目前測試過程并不順利，原先設定在第二季度可能量產的目標恐將推遲。

SK海力士則因為目前沒有進行制程轉換，成為三大廠當中唯一沒有遭遇供貨不順問題的廠商。吳雅婷指出，三星和美光遭逢的狀況說明制程轉進至20納米以下時，在設計、生產的難度都大幅提升，此外，也說明制程微縮能享有的位元成長越來越少，使得供貨端吃緊的態(tài)勢若要得到舒緩，還需花費更多時間。

吳雅婷進一步指出，整體而言，第二季內存價格持續(xù)向上的趨勢仍未改變。除標準型內存外，服務器內存的漲幅也相當明顯，預估將達10%~15%。而行動式內存則為目前漲幅最小者，在中國智能手機的出貨動能尚未大幅轉強以前，預估第二季行動式內存漲幅僅約5%以下，其中eMCP產品因NAND同時缺貨的緣故，漲幅較高，約達5%。