大陸大肆挖角制程工程師 臺(tái)灣反擊

大陸存儲(chǔ)器廠和晶圓代工廠對(duì)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)挖角的方式有不同的招數(shù)，大陸的存儲(chǔ)器廠是透過華亞科的離職員工掌握通訊錄名單，開高薪一一詢問到大陸任職的意愿，美光(Micron)因?yàn)殛懤m(xù)接收臺(tái)中瑞晶、桃園華亞科的12寸廠，因?yàn)槌蔀榇箨懲诮?、竊密的頭號(hào)目標(biāo)，美光更祭出司法手段防止挖角風(fēng)波日盛。

大陸晶圓代工廠挖角的方式，除了已經(jīng)先到大陸的熟人介紹之外，傳出中芯國際和華力微電子也透過獵人頭公司鎖定一些臺(tái)積電和聯(lián)電的員工進(jìn)行挖角，兩家大廠對(duì)于大陸狂挖角的問題都密切注意，同時(shí)也避免公司的機(jī)密資料和營業(yè)機(jī)密外流。

這次爆發(fā)臺(tái)積電前徐姓工程師跳槽華力微之前，其實(shí)華力微電子就已經(jīng)挖角聯(lián)電28納米團(tuán)隊(duì)將近50人，聯(lián)電表示，如果有查到攜帶機(jī)密資料到對(duì)岸，將會(huì)報(bào)警處理。

大陸晶圓代工廠里面，挖角最積極的是華力微電子，狂挖角聯(lián)電、臺(tái)積電28納米制程的工程師，主要是華力微積極加入晶圓代工戰(zhàn)局，去年底還蓋了第二座12寸晶圓廠專攻28納米制程，不過制程研發(fā)瓶頸始終無法突破，因此積極挖角在臺(tái)積電、聯(lián)電有28納米制程經(jīng)驗(yàn)的工程師加入團(tuán)隊(duì)，希望能縮短學(xué)習(xí)曲線。再者，中芯國際的先進(jìn)制程也是卡關(guān)很久，28納米制程無法突圍，但公司已經(jīng)對(duì)外宣稱會(huì)朝14納米和10納米進(jìn)軍，因此，中芯國際也是四處尋求先進(jìn)制程突破瓶頸的方式，傳出透過獵人頭公司在臺(tái)尋覓適合的挖角對(duì)象。

這次華力微挖角臺(tái)積電工程師踢到大鐵板，臺(tái)積電快、狠、準(zhǔn)攔截該名攜帶營業(yè)機(jī)密的離職員工，成功阻止他到上海任職，也頗有殺雞儆猴的味道。

同時(shí)，臺(tái)積電也強(qiáng)調(diào)，將行文華力微電子通知其不可使用自臺(tái)積電非法取得的營業(yè)秘密，若對(duì)方有不法行為出現(xiàn)，一定會(huì)采取必要移動(dòng)，重申捍衛(wèi)智財(cái)權(quán)和營業(yè)機(jī)密的決心。

私印公司機(jī)密文件被抓“太笨了”

臺(tái)積電該名徐姓工程師在離職因?yàn)楫惓５拇罅看蛴?8納米制程的相關(guān)文件引發(fā)公司注意，臺(tái)積電認(rèn)為他已違反營業(yè)秘密法因此將他解雇，并報(bào)請(qǐng)新竹市調(diào)站偵辦，2日新竹檢方今天偵查終結(jié)，認(rèn)定徐姓工程師觸犯營業(yè)秘密法第13條之2第1項(xiàng)，意圖在大陸非法使用營業(yè)秘密罪嫌及刑法第342條第1項(xiàng)背信罪嫌，對(duì)該工程師提起公訴。

有相關(guān)人士透露稱，一般有意到中國就業(yè)的FAB工程師，離職后不會(huì)立刻赴任。通常帶槍投靠中國晶圓廠的工程師，會(huì)用很長時(shí)間來研究相關(guān)數(shù)據(jù)、流程，同時(shí)記在腦海里，而非明目張膽的打印數(shù)據(jù)；即便離職后也不會(huì)直接轉(zhuǎn)戰(zhàn)新公司，而是先去中國賣雞排以避人耳目，拖過一段時(shí)間再赴任。

臺(tái)積電表示，徐姓工程師2010年到職，工作雖與28納米制程無關(guān)，卻在今年1月非法打印竊取28納米相關(guān)制程文件，離職后打算跳槽中國半導(dǎo)體廠華力微，徐姓工程師除被臺(tái)積電解雇外，同時(shí)也遭檢調(diào)依背信罪、《營業(yè)秘密法》起訴。

獵頭公司鎖定竹科大廠，頻繁挖角臺(tái)灣高科技人才及團(tuán)隊(duì)，并提出“帶原任職公司相關(guān)數(shù)據(jù)，依數(shù)據(jù)珍貴程度，薪水級(jí)別有所不同”的條件。而如此私印公司機(jī)密文件被抓，真是“太笨了”。

半導(dǎo)體業(yè)者指出，攜帶機(jī)密資料到大陸的判刑會(huì)比一般刑責(zé)重，最高可判10年，呼吁員工不要想不開自毀前程。

中芯國際28納米高端制程缺乏競(jìng)爭(zhēng)力

中國本土晶圓代工廠最先進(jìn)制程為28納米，中芯國際與華力微電子今年積極沖刺與布局，但面臨技術(shù)、人才、市場(chǎng)上的直接競(jìng)爭(zhēng)壓力，市占率仍微小，臺(tái)積電產(chǎn)能市占率高達(dá)66.7%，遙遙領(lǐng)先格羅方德(16.1%)和聯(lián)電（8.4%），也是推升今年?duì)I運(yùn)成長的主要制程，臺(tái)積電導(dǎo)入28納米制程已經(jīng)長達(dá)六年時(shí)間。

中芯國際預(yù)估，28納米以下制程會(huì)是2017年中芯的成長動(dòng)能之一，預(yù)期2017年底28納米以下制程將占公司營收比重達(dá)到7%~9%，但分析認(rèn)為，中芯偏向中低端的28納米Ploy/SiON技術(shù)，高端的28納米HKMG制程涉足并不深；華力微電子雖已為聯(lián)發(fā)科試產(chǎn)28納米移動(dòng)通訊芯片，但與量產(chǎn)仍有一段距離，還無法估算市占率。

雖然客戶未來3年對(duì)28納米晶圓的需求強(qiáng)烈，但中芯國際的28納米晶圓生產(chǎn)緩慢，高端技術(shù)門檻令其生產(chǎn)線缺乏競(jìng)爭(zhēng)力，產(chǎn)品將持繼降價(jià)。外資認(rèn)為，中國發(fā)展高端制程還有一段長的路要走，28納米制程與前三大晶圓制造廠商商仍有相當(dāng)大的差距。