中國高端制造又一顆新星閃耀,掌握5nm刻蝕機(jī)技術(shù),與半導(dǎo)體設(shè)備巨頭專利交手并贏得勝利,國內(nèi)第一大半導(dǎo)體設(shè)備制造商再創(chuàng)佳績,成為臺積電最先進(jìn)7nm工藝設(shè)備供應(yīng)商。電子制作模塊
據(jù)臺媒報道,目前臺積電的7nm布局最積極,近期臺積電更是轉(zhuǎn)變了7nm制程設(shè)備的采購策略,將應(yīng)用材料(AppliedMaterials)、科林研發(fā)(LAM)、東京威力科創(chuàng)(TEL)、日立先端(Hitach)、中微半導(dǎo)體5大設(shè)備商均納入采購名單,致力平衡7nm制程設(shè)備商生態(tài)價格。
值得注意的是,中微半導(dǎo)體是唯一進(jìn)入臺積電7nm制程蝕刻設(shè)備的大陸本土設(shè)備商。據(jù)悉,中微與臺積電在28nm制程時便已開始合作,并一直延續(xù)到10nm制程,以及現(xiàn)在的7nm制程。未來,中微也將與臺積電跨入下一世代5nm合作。此外,中微也將與聯(lián)電展開14nm工藝制程的合作。
為符合大陸半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化的政策目標(biāo),2016年,有兩家大陸半導(dǎo)體設(shè)備商獲得國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金(大基金)投資。其中一家便是中微半導(dǎo)體,獲得4.8億元投資;另一家是上海微電子設(shè)備(SMEE)。
今年4月,中微半導(dǎo)體CEO尹志堯在公共場合表示,目前中微半導(dǎo)體在全球各地已經(jīng)建置共計582臺刻蝕反應(yīng)臺,并預(yù)期今年將增長至770臺。目前中微半導(dǎo)體產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入第三代10nm、7nm工藝,并進(jìn)入晶圓廠驗證生產(chǎn)階段,即將進(jìn)入下一世代5nm、甚至3.5nm工藝。
據(jù)尹志堯透露,過去幾年公司銷售維持30-35%增長率,預(yù)期2017年增長率將達(dá)到80%。2017年,中微銷售將達(dá)11億元人民幣,在此基礎(chǔ)上,未來十年將持續(xù)開發(fā)新產(chǎn)品,擴(kuò)大市場占有率,中微的目標(biāo)是:2020年20億元、2050年50億元,并進(jìn)入國際五強(qiáng)半導(dǎo)體設(shè)備公司。
目前,中微有460多個介質(zhì)刻蝕反應(yīng)臺,并在海內(nèi)外27條生產(chǎn)線上生產(chǎn)了約4000多萬片晶圓;同時,中微還開發(fā)了12英寸的電感型等離子體ICP刻蝕機(jī);此外,中微還開發(fā)了8英寸和12英寸TSV硅通孔刻蝕設(shè)備,不僅占有約50%的國內(nèi)市場,而且已進(jìn)入臺灣、新加坡、日本和歐洲市場,尤其在MEMS領(lǐng)域擁有意法半導(dǎo)體(ST)、博世半導(dǎo)體(BOSCH)等國際大客戶。
在專利方面,中微共申請了超過800件相關(guān)專利,其中絕大部分是發(fā)明專利,目前有一半以上已獲授權(quán)。
公司董事長尹志堯博士簡介
尹志堯出生于北京,中學(xué)就讀于北京四中,本科及碩士分別畢業(yè)于中科大、北大,1980年赴美留學(xué),獲得加州大學(xué)物理化學(xué)博士學(xué)位。先后在intel、LAM技術(shù)部門工作,1991年后一直在美國硅谷從事半導(dǎo)體行業(yè),在世界最大的百億美元的半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)——美國應(yīng)用材料公司擔(dān)任總公司副總裁,曾被譽(yù)為“硅谷最有成就的華人之一”,參與了美國幾代等離子體刻蝕機(jī)的研發(fā),在半導(dǎo)體行業(yè)20多年,擁有60多項專利技術(shù)。然而在2004年,60歲的他依然放棄美國的百萬美元的年薪,沖破美國政府的層層審查,所有的工藝配方、設(shè)計圖紙都被美國沒收。帶領(lǐng)之三十多人的團(tuán)隊回到中國,創(chuàng)建中微公司。