根據(jù)一項(xiàng)最新公布的調(diào)查結(jié)果，芯片產(chǎn)業(yè)高層對(duì)于極紫外光(extreme ultraviolet lithography，EUV)微影以及多電子束光罩寫入技術(shù)(multibeam mask writers)越來越樂觀，認(rèn)為在生產(chǎn)尖端半導(dǎo)體組件變得越來越復(fù)雜與昂貴的此時(shí)，新一代系統(tǒng)將有助于推動(dòng)工藝演進(jìn)。電子設(shè)計(jì)模塊
上述調(diào)查是由產(chǎn)業(yè)組織eBeam Initiative在今年夏天執(zhí)行，對(duì)象為75位半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)菁英；有75%的受訪者表示，他們預(yù)期EUV將會(huì)在2021年以前被量產(chǎn)工藝應(yīng)用。也有1%的受訪者認(rèn)為EUV不會(huì)問世，但該數(shù)字已經(jīng)比2016年的6%低了許多；2014年進(jìn)行的調(diào)查更有35%受訪者不看好EUV技術(shù)。
產(chǎn)業(yè)界資深人士、eBeam Initiative發(fā)言人Aki Fujimura表示，他認(rèn)為EUV毫無疑問將會(huì)在接下來幾年開始應(yīng)用于7納米以下工藝。包括英特爾(Intel)、三星(Samsung)以及臺(tái)積電(TSMC)已經(jīng)對(duì)EUV技術(shù)開發(fā)商ASML投資了數(shù)十億美元；ASML并為了EUV開發(fā)收購了光源技術(shù)供貨商Cymer，以推動(dòng)目前復(fù)雜且昂貴的技術(shù)更向前邁進(jìn)。
Fujimura是一家利用GPU加速光罩缺陷修復(fù)的半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者D2S的執(zhí)行長，他指出：“在過去幾年，7納米與5納米的問題越來越糟糕，大家終于承認(rèn)我們必須要讓EUV成真，否則整個(gè)產(chǎn)業(yè)都會(huì)遇到麻煩。”
一項(xiàng)針對(duì)75位芯片產(chǎn)業(yè)具影響力高層的調(diào)查顯示，廠商對(duì)EUV技術(shù)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的態(tài)度越來越樂觀（來源：eBeam Initiative）
轉(zhuǎn)變的過程不會(huì)太容易；芯片廠商們預(yù)期在7納米工藝節(jié)點(diǎn)仍將采用現(xiàn)有的浸潤式微影步進(jìn)機(jī)，之后在某些工藝步驟改用EUV，以降低對(duì)多重圖形的需求。Fujimura表示：“EUV是如此新穎的技術(shù)，需要在機(jī)器設(shè)備以及生態(tài)系統(tǒng)的龐大投資才能支持，并非一蹴可幾；你必須一步步慢慢來，而不是馬上就要求EUV做到最好。”
根據(jù)另一項(xiàng)針對(duì)前十大光罩制作廠商的調(diào)查顯示，過去12個(gè)月來，光罩制造商已經(jīng)制作了1041個(gè)EUV光罩，該數(shù)字在上一個(gè)年度是382；此外EUV的光罩良率目前為64.3%，而同期間曝光的46萬2792個(gè)光罩平均良率則為94.8%。對(duì)此Fujimura表示，如果把該數(shù)字看做新創(chuàng)公司的獲利率，可能有人會(huì)說64.3%是令人驚艷的高水平。
對(duì)EUV仍抱持懷疑態(tài)度的產(chǎn)業(yè)界人士已經(jīng)幾乎不存在（來源：eBeam Initiative）
芯片產(chǎn)業(yè)界高層們也對(duì)多電子束光罩寫入技術(shù)前景樂觀，預(yù)期該技術(shù)能在2019年底以前獲得量產(chǎn)工藝采用，只比2016年調(diào)查時(shí)所預(yù)測(cè)的晚一年；今年的調(diào)查也顯示，現(xiàn)有的可變形電子束(variable shaped beam，VSB)光罩寫入技術(shù)，會(huì)比預(yù)期使用更長時(shí)間。
這種轉(zhuǎn)變是由于先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的光罩組成本急遽上升，然而調(diào)查也顯示，光罩業(yè)者指出光罩寫入次數(shù)大致看來維持穩(wěn)定。Fujimura表示，光罩寫入次數(shù)在掌控中，部份是因?yàn)樽钚碌腣SB系統(tǒng)達(dá)到了1200 Amps/cm2的性能。
不過數(shù)據(jù)集以及缺陷增加，在先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)會(huì)延長光罩周轉(zhuǎn)時(shí)間(mask turnaround times)；Fujimura指出：“每一個(gè)關(guān)鍵層的光罩成本逐漸上升，光罩的數(shù)量也變得非常高。”確實(shí)，如受訪者所言，7~10納米節(jié)點(diǎn)的光罩層數(shù)平均為76，有一家廠商甚至表示達(dá)到112層；20納米平面工藝的平均光罩層數(shù)為50，而130納米節(jié)點(diǎn)平均光罩?jǐn)?shù)則為25層。
越精細(xì)先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)所需光罩?jǐn)?shù)越多（來源：eBeam Initiative）
“超過100層的光罩真是非?；闹嚕?rdquo;Fujimura表示：“我們會(huì)看到EUV量產(chǎn)之后將發(fā)生什么事；”EUV需要的光罩層數(shù)會(huì)低于浸潤式微影，但EUV光罩會(huì)更復(fù)雜，成本也更高昂。在此同時(shí)，調(diào)查顯示7~10納米工藝的光罩周轉(zhuǎn)時(shí)間會(huì)延長到12天，這有部份原因是數(shù)據(jù)準(zhǔn)備(data preparation)所需時(shí)間平均達(dá)到約21小時(shí)。
此外當(dāng)芯片工藝來到7納米，光罩工藝校準(zhǔn)(mask process correction，MPC)現(xiàn)在已經(jīng)成為慣例需求；根據(jù)調(diào)查顯示，此步驟平均需要額外的21小時(shí)：“MPC需求激增，添加這個(gè)額外步驟也會(huì)帶來額外的運(yùn)作時(shí)間。”
