此次提前封頂?shù)捻?xiàng)目（一期）一號(hào)生產(chǎn)及動(dòng)力廠房建筑面積達(dá)52.4萬(wàn)㎡，預(yù)計(jì)將于2018年投入使用。項(xiàng)目（一期）達(dá)產(chǎn)后，總產(chǎn)能將達(dá)到30萬(wàn)片/月，年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元。

國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目一期規(guī)劃投資240億美元，占地面積1968畝，于2016年12月30日正式開(kāi)工建設(shè)，將建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash 生產(chǎn)廠房，其核心生產(chǎn)廠房和設(shè)備每平方米的投資強(qiáng)度超過(guò)3萬(wàn)美元。

2016年3月，總投資約1600億元人民幣的國(guó)家存儲(chǔ)器基地在武漢啟動(dòng)。四個(gè)月后，為該項(xiàng)目組建的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）正式成立。

據(jù)報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的注冊(cè)資本分兩期出資。一期由國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北國(guó)芯產(chǎn)業(yè)投資基金和武漢新芯股東湖北省科技投資集團(tuán)共同出資，武漢新芯的基礎(chǔ)上建立長(zhǎng)江存儲(chǔ)，武漢新芯成為長(zhǎng)江存儲(chǔ)的全資子公司。二期將由紫光集團(tuán)和國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金共同出資。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在2017年初引進(jìn)紫光集團(tuán)資金，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的股權(quán)結(jié)構(gòu)變成紫光旗下的紫光國(guó)器持股達(dá)51%，紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)兼長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司董事長(zhǎng)趙偉國(guó)到場(chǎng)參加封頂儀式。

紫光原本規(guī)劃旗下紫光國(guó)芯將收購(gòu)長(zhǎng)江存儲(chǔ)100%股權(quán)，后因內(nèi)部評(píng)估長(zhǎng)江存儲(chǔ)的投資規(guī)模十分龐大，目前處于前期的建設(shè)階段，短期內(nèi)無(wú)法產(chǎn)生營(yíng)收，認(rèn)為現(xiàn)在收購(gòu)長(zhǎng)江存儲(chǔ)100%股權(quán)的條件不夠成熟，所以該計(jì)劃暫時(shí)喊停，但紫光強(qiáng)調(diào)長(zhǎng)江存儲(chǔ)需要的人民幣386億元資金全數(shù)到位。

目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)與合肥長(zhǎng)鑫、福建晉華是中國(guó)三大存儲(chǔ)芯片企業(yè)，據(jù)悉長(zhǎng)江存儲(chǔ)現(xiàn)已研發(fā)出了國(guó)產(chǎn)32層堆棧的3D NAND Flash，預(yù)計(jì)2018年后量產(chǎn)。另有報(bào)道，高啟全曾表示長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，力爭(zhēng)把與三星等大廠的差距縮短在2年以內(nèi)。

存儲(chǔ)器占整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模超20%，地位十分重要，而且存儲(chǔ)芯片是信息安全中的重要一環(huán)。目前存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)主要由美日韓主導(dǎo)，是高度壟斷的寡頭市場(chǎng)格局。“受制于人”的被動(dòng)局面，不僅讓我國(guó)企業(yè)承受著巨大的專利扼制之痛，而且也時(shí)刻威脅著國(guó)民經(jīng)濟(jì)以及企業(yè)經(jīng)營(yíng)的安全。

如今中國(guó)存儲(chǔ)芯片已經(jīng)上升到國(guó)家戰(zhàn)略高度，長(zhǎng)江存儲(chǔ)肩負(fù)著振興國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器的重?fù)?dān)，但目前存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)壟斷高、投資大、壁壘高，長(zhǎng)江存儲(chǔ)今后要走的是一條充滿挑戰(zhàn)之路。