東芝與西數(shù)在2017年經(jīng)歷長時間的法律訴訟及合資爭議后，已于2017年12月13日達成和解，雙方延展合資關系至2029年，并確保西數(shù)在Fab6中能夠參與投資，延續(xù)在96層以后3D-NAND Flash的競爭門票。東芝隨即在12月21日宣布Fab 7興建計劃，集邦咨詢半導體研究中心（DRAMeXchange）指出，隨著東芝、三星、英特爾、長江存儲等都將擴增NAND Flash產(chǎn)能，對NAND Flash產(chǎn)業(yè)的影響將在2019年轉趨明顯，并使得整體產(chǎn)業(yè)可望呈現(xiàn)供過于求狀況。

DRAMeXchange指出，東芝Fab 7有別于以往廠房集中于四日市，廠址改設在巖手縣北上市，該廠投入量產(chǎn)的時程將落在2019年下半年后，主要投產(chǎn)96層以上的3D-NAND Flash，對整體產(chǎn)出真正產(chǎn)生影響的時間點將落在2020年。

綜觀2018到2020年NAND Flash擴產(chǎn)趨勢，DRAMeXchange指出，各個陣營皆可說是磨刀霍霍，除東芝剛宣布新建的Fab 7以及已興建中的Fab 6以外，備受各界關注的長江存儲位于武漢未來城的生產(chǎn)基地也預計于2018年下半年開始營運，初期投產(chǎn)32層的3D-NAND Flash產(chǎn)品，并致力64層產(chǎn)品的開發(fā)，以拉近與其他供貨商之間的差距。

除了長江存儲以外，其他大廠的投資也不惶多讓，包括英特爾擴建大連廠二期，為應對旺盛的Server SSD需求，目標在2018年底增加一倍的3D-NAND Flash產(chǎn)能。此外，三星也將擴建西安廠二期，持續(xù)放大在中國生產(chǎn)3D-NAND Flash的能量。SK海力士則將在韓國清州廠區(qū)另外興建一座新廠M15，同樣以投產(chǎn)96層以上3D-NAND Flash為目標，預計2019年可正式進入營運。

DRAMeXchange分析指出，基于各家供貨商皆在3D-NAND Flash具體新增產(chǎn)能，在2019年以后3D-NAND Flash市場預期會再度進入供過于求格局，而2D-NAND Flash則因供貨商陸續(xù)轉產(chǎn)，僅維持較低比重繼續(xù)生產(chǎn)并著重于工規(guī)需求，因此2D-NAND Flash市場走勢將與3D-NAND Flash脫鉤，逐漸轉變?yōu)槔袌觥?/p>