一、引言

ASML脫胎于飛利浦光刻設(shè)備研發(fā)小組。飛利浦從1971年開始，在此前開發(fā)的透鏡式顯影裝備基礎(chǔ)上，開發(fā)透鏡式非接觸光刻設(shè)備。雖然在1973年成功推出新型光刻設(shè)備，在整體性能研發(fā)方面取得一定成功，但由于成本高昂，且存在一系列技術(shù)問題，很難對外推廣。同時，其他設(shè)備商在解決接觸式光刻機的缺陷問題上用不同的技術(shù)路徑取得了突破。于是，飛利浦計劃要關(guān)停光刻設(shè)備研發(fā)小組。

這時ASMI找上門來要求合作開發(fā)生產(chǎn)光刻機。ASMI是什么來頭呢？這里有必要介紹一下。ASMI（Advanced Semiconductor MaterialsInternational）是由Arthur del Prado在1964年創(chuàng)辦，初時是一家半導(dǎo)體設(shè)備代理商。Arthur del Prado非常富有戰(zhàn)略眼光且專注半導(dǎo)體，很快在半導(dǎo)體業(yè)界風(fēng)生水起，并于1971年公司開始轉(zhuǎn)型進入封裝設(shè)備生產(chǎn)，慢慢擴大到前道設(shè)備，1976年公司的PECVD進入市場，奠定ASMI作為原始設(shè)備生產(chǎn)商的地位。1981年公司成功上市。

ASMI興沖沖而來，沒想到熱臉貼冷屁股。飛利浦已經(jīng)心灰意冷了，但耐不住的Arthur del Prado的軟磨硬泡，于是同意與Advanced Semiconductor Materials B.V.合作，在1984年4月成立Advanced Semiconductor Material Lithography Holding N.V.。

ASML當(dāng)時面臨三大問題，一個是技術(shù)落后，飛利浦公司先前研發(fā)的技術(shù)在漫長的等待中已經(jīng)過時，遠(yuǎn)不能滿足客戶要求；二是市場已經(jīng)飽和，競爭非常激烈，強手如林，日本的Nikon、Canon、Hitachi，美國的GCA、SVG、Ultratch、ASET、Perkin-Elmer、Eaton，民主德國的Zeiss等相繼推出了自己的光刻機產(chǎn)品；三是資金嚴(yán)重匱乏。

據(jù)說當(dāng)時員工都對ASML的未來沒有信心?，F(xiàn)在ASML公司官方網(wǎng)站里的“Our History”里，都用了“inauspiciously”這個詞描寫當(dāng)時的情況。

是什么原因讓ASML殺出重圍，并成長為光刻機領(lǐng)域的絕對龍頭，全球市占率達到近70%，壟斷高端EUV光刻機市場。

觀其成長之路，可謂一段產(chǎn)業(yè)傳奇。成立之初，由于技術(shù)落后和資金不足，加上產(chǎn)業(yè)周期性衰退，幾乎陷入破產(chǎn)境界；1995年上市，充裕的資金讓公司發(fā)展提速；2000年推出TWINSCAN雙工件臺光刻機，一舉奠定霸主地位；進入EUV時代，得到大客戶支持，更是一騎絕塵?？梢哉fASML的龍頭之路既與產(chǎn)業(yè)大環(huán)境密切相關(guān)，也是其自身重視研發(fā)，對研究創(chuàng)新始終采取開放態(tài)度的必然結(jié)果。

二、光刻機技術(shù)發(fā)展及未來趨勢

在說ASML的故事前，還是先說說光刻機的發(fā)展情況。

光刻機是集成電路制造中最精密復(fù)雜、難度最高、價格最昂貴的設(shè)備，用于在芯片制造過程中的掩膜圖形到硅襯底圖形之間的轉(zhuǎn)移。（上刻出晶體管器件的結(jié)構(gòu)和晶體管之間的連接通路。）

集成電路在制作過程中經(jīng)歷材料制備、掩膜、光刻、刻蝕、清洗、摻雜、機械研磨等多個工序，其中以光刻工序最為關(guān)鍵，因為它是整個集成電路產(chǎn)業(yè)制造工藝先進程度的重要指標(biāo)。

光刻機的發(fā)展經(jīng)過了一個漫長的過程，1960年代的接觸式光刻機、接近式光刻機，到1970年代的投影式光刻機，1980年代的步進式光刻機，到步進式掃描光刻機，到浸入式光刻機和現(xiàn)在的EUV光刻機，設(shè)備性能不斷提高，推動集成電路按照摩爾定律往前發(fā)展。

曝光光源方面，從1960年代初到1980年代中期，汞燈已用于光刻，其光譜線分別為436nm（g線）、405nm（h線）和365nm（i線 ）。然而，隨著半導(dǎo)體行業(yè)對更高分辨率（集成度更高和速度更快的芯片）和更高產(chǎn)量（更低成本）的需求，基于汞燈光源的光刻工具已不再能夠滿足半導(dǎo)體業(yè)界的高端要求。

1982年，IBM的Kanti Jain開創(chuàng)性的提出了“excimer laser lithography（準(zhǔn)分子激光光刻）”，并進行了演示，現(xiàn)在準(zhǔn)分子激光光刻機器（步進和掃描儀）在全球集成電路生產(chǎn)中得到廣泛使用。在過去的30年中，準(zhǔn)分子激光光刻技術(shù)一直是摩爾定律持續(xù)推進的關(guān)鍵因素。使得芯片制造中的最小特征尺寸從1990年的500nm推進至2016年10nm，臺積電和三星都宣稱2018年要量產(chǎn)7nm產(chǎn)品。

光刻系統(tǒng)中常用的DUV準(zhǔn)分子激光器是248nm波長的KrF和193nm波長的ArF。1980年代準(zhǔn)分子激光光源的主要制造商是Lambda Physik（后并入Coherent, Inc.）和Lumonics。自1990年代中期以來，Cymer公司（原ASML合作伙伴，2013年并入ASML）和Gigaphoton Inc.（尼康光刻機的光源合作伙伴）已成為光刻設(shè)備制造商的準(zhǔn)分子激光光源的主要供應(yīng)商。

使用193nm ArF光源的干法光刻，其工藝節(jié)點可達45/40nm，進一步采用浸液式光刻、配合比較激進的可制造性設(shè)計（DfM）等技術(shù)后，可達28nm；而要進到更高端制程時，就必須采用輔助的多重曝光（Multiple Patterning，MP）。然而使用多重曝光會帶來兩大問題：一是光刻加掩膜的成本上升，而且影響良率，多一次工藝步驟就是多一次良率的降低；二是工藝的循環(huán)周期延長，多重曝光不但增加曝光次數(shù)，而且增加刻蝕（ETCH）和機械研磨（CMP）工藝次數(shù)，也就是把光刻的步驟分了點給ETCH和CMP。對于使用浸液式光刻+多重圖形曝光的193nm ArF光刻機可以將工藝縮小到10nm。

而EUV作為下一代技術(shù)的代表，不需要多重曝光，一次就能曝出想要的精細(xì)圖形，沒有超純水和晶圓接觸，在產(chǎn)品生產(chǎn)周期、OPC的復(fù)雜程度、工藝控制、良率等方面的優(yōu)勢明顯。但是也需要繼續(xù)優(yōu)化。特別是EUV的曝光方式，降低EUV掩膜版的缺陷，以及晶圓產(chǎn)率方面還有很大發(fā)大空間。目前市場有多款EUV機型并開始出貨，劍指7nm、5nm。

雖然EUV光刻機已經(jīng)開始出貨，但由于其成本昂貴且交期長，一般的公司可能暫時用不上甚至也買不到機臺，所以現(xiàn)在光刻機市場主要以193nm ArF光刻機為主。

如果工藝制程繼續(xù)延伸到1nm或以下，如果EUV單次曝光已經(jīng)無法滿足今后工藝要求的話，會不會出現(xiàn)EUV+多重曝光呢？

電子束直寫技術(shù)還有可能重出江湖嗎？雖然它曝光一片晶圓的時間有點恐怖。

目前光刻技術(shù)的發(fā)展方向主要表現(xiàn)為縮短曝光光源波長、提高數(shù)值孔徑（NA）和改進曝光方式。但不管技術(shù)如何發(fā)展，產(chǎn)率肯定是要考量的。

三、光刻機“寡頭”市場

隨著時間的推移，工藝技術(shù)的進步，Hitachi、GCA、SVG、Ultratch、ASET、Perkin-Elmer、Eaton、Zeiss等，有的已經(jīng)退出光刻機市場，有的被收購，有的轉(zhuǎn)戰(zhàn)先進封裝用光刻機市場。

目前全球半導(dǎo)體前道用光刻機的生產(chǎn)廠商有4家，分別是ASML、Nikon、Canon和上海微電子（SMEE），其中尤其以ASML為佳，一家獨占7成的市場。

2017年全球晶圓制造用光刻機臺出貨不足300臺，其中ASML共就出貨198臺，占全球近7成的市場。其中EUV光刻機11臺，ArFi光刻機76臺，ArF光刻機14臺，KrF光刻機71臺，i-line光刻機26臺。2017年單臺EUV機臺平均售價超過1億歐元，2018年一季度的售價更是接近1.2億歐元，而且是有價無貨。

2017年Nikon出貨26臺光刻機，占有率不足10%，其中ArFi光刻機6臺，ArF光刻機8臺，KrF光刻機2臺，i-line光刻機10臺。（筆者注：從1980年代，Nikon就開始進入半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，在近40年的光刻機研究與開發(fā)中，已向世界各國或地區(qū)銷售了各種光刻機超過9000多臺，曾創(chuàng)下年銷量900臺的紀(jì)錄，不過自2008年和2009年丟失臺灣、韓國市場，公司開始一蹶不振，出貨量急速下滑。）

2017年Canon出貨70臺，占比24%，且集中在低端產(chǎn)品，其中KrF光刻機20臺，i-line光刻機50臺。（筆者注：從1970年代，Canon公司就涉足半導(dǎo)體制造設(shè)備領(lǐng)域, 憑借世界領(lǐng)先的光學(xué)及精密機械生產(chǎn)技術(shù)，從研制2：1縮小投影和接觸接近式光刻設(shè)備起步，先后向世界市場投放了PLA系列步進式、MPA系列等倍掃描式、投影式和FPA系列步進縮小投影式、掃描式三大系列的光學(xué)光刻設(shè)備約10000臺，由于公司在技術(shù)上的決策失誤，從2008年逐步退出半導(dǎo)體用光刻機市場。）

從上圖可以看出，2011年開始，ASML按銷售金額（不含服務(wù)費入）計算，就一直占有全球6成以上的市場。而Nikon盡管在機臺出貨數(shù)量上不如Canon，但是由于Canon的出貨機臺都是低端的光刻機臺，所以Nikon的年度銷售收入相比Canon要高。

2017年全球光刻機總出貨294臺，ASML出貨198臺，占有68%的市場份額。EUV光刻機方面，ASML占有率100%。在ArFi機臺方面，全球銷售82臺，ASML以76臺，占有率超過92%。ArF機臺方面，全球銷售22臺，ASML占比64%。也就是說，在高端光刻機方面，ASML占有88%的市場。

2011-2017年全球光刻機總出貨1920臺，ASML出貨1209臺，占有63%的市場份額。EUV光刻機方面，ASML占有率100%。在ArFi機臺方面，全球銷售612臺，ASML以539臺，占有率超過88%。ArF機臺方面，全球銷售95臺，ASML占比52%。也就是說，在高端光刻機方面，ASML占有84%的市場。

目前全球知名廠商都是ASML的客戶，英特爾、三星、臺積電都在全力支持ASML在EUV光刻機方面的研發(fā)。Nikon在EUV機臺方面只在2008年第4季出貨一臺，再也沒有任何消息。而Canon從2010年開始就完全退出了ArF領(lǐng)域，只保有低端機出貨，轉(zhuǎn)而發(fā)力OLED光刻機市場。

四、巨人ASML成長記分析

1、發(fā)展歷程

1984年飛利浦與ASMI合資成立Advanced Semiconductor Material Lithography Holding N.V.（先進半導(dǎo)體材料光刻控股有限公司）；

1984年推出首款產(chǎn)品：PAS2000，采用油壓驅(qū)動，技術(shù)落后同行；

1986年推出首臺步進式設(shè)備PAS2500/10，并和鏡頭制造商Carl Zeiss建立密切合作關(guān)系；

1989年推出PAS5000系統(tǒng)；

1991年推出PAS5500系統(tǒng)，這是公司的重大技術(shù)突破；

1995年3月在 NASDAQ與阿姆斯特丹交易所上市；

1999年6月收購MicroUnity Systems Engineering Inc.業(yè)務(wù)部門MaskTools，使得公司在先進技術(shù)節(jié)點方面可以提供最完整的解決方案，改善了公司光刻機的掃描和成像能力，顯著增加了聚集深度，擴大了光刻窗口，提高了芯片產(chǎn)量；

2000年8月首臺TWINSCAN系統(tǒng)光刻機出貨，以獲得最大生產(chǎn)力；

2000年12月獲得日本首個訂單：PAS 5500/750E DUV和PAS 5500/400C i-line；

2001年5月完成對Silicon Valley Group, Inc.（SVG）的收購，獲得了投影掩罩瞄準(zhǔn)技術(shù)、掃描技術(shù)，極大的提升了公司產(chǎn)品的技術(shù)，并在美國擁有了研發(fā)生產(chǎn)基地；

2001年6月由ASM Lithography Holding N.V.更名為ASML Holding N.V. ；

2007年3月8日完成收購光刻解決方案提供商Brion Technologies，Brion的計算光刻技術(shù)（設(shè)計驗證，分辨率增強技術(shù)RET以及光學(xué)鄰近效應(yīng)修正OPC）能使半導(dǎo)體制造商得以對制作出的集成電路圖形進行仿真，并可更正掩模圖形，從而優(yōu)化制造工藝，提高成品率；

2007年推出首臺浸液式設(shè)備TWINSCAN XT:1900i；

2010年推出首臺EUV設(shè)備TWINSCAN NXE:3100系統(tǒng)，與之前的光刻機相比，能夠使用更短波長的光，使得客戶可以制造更小規(guī)格的產(chǎn)品，在同一塊芯片上集成更多的晶體管；

2012年公司提出“客戶聯(lián)合投資專案”（Customer Co-Investment Program），獲得英特爾、臺積電、三星的響應(yīng)，以23%的股權(quán)共籌得53億歐元資金；

2013年5月30日完成對光源提供商Cymer的收購，為公司量產(chǎn)EUV設(shè)備起決定性作用；

2016年11月5日收購Carl Zeiss SMT的24.9%股權(quán)，以強化雙方在半導(dǎo)體微影技術(shù)方面的合作，發(fā)展下一代EUV微影系統(tǒng)。

2016年11月22日完成對漢微科Hermes Microvision收購，以強化對半導(dǎo)體制造商的高科技服務(wù)；

2017年TWINSCAN NXE:3400B機臺正式出貨，產(chǎn)率為125wph 300mm晶圓。

下面筆者就已公司發(fā)展歷程來進行解讀，說說ASML這個光刻機巨人是如何煉成的。

2、上市、資金與并購、技術(shù)

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)屬于資金密集型、技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)，光刻機作為推動摩爾定律最關(guān)鍵的設(shè)備，研發(fā)新產(chǎn)品時更需要龐大的資金投入。ASML成立之初也面臨著技術(shù)落后和資金短缺的問題。有消息稱，1992年在遭遇半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期性衰退時，公司資金鏈斷裂，幾乎破產(chǎn)會閉。幸虧股東飛利浦及時出手相救，加上公司的輕資產(chǎn)戰(zhàn)略，才涉險過關(guān)。

為了解決資金問題，1995年3月，公司在阿姆斯特丹和美國納斯達克（NASDAQ）交易所同時上市，充裕的資金一方面增強了公司研發(fā)能力，同時也讓公司可以進行產(chǎn)業(yè)并購，以完善公司的技術(shù)，促進光刻技術(shù)的發(fā)展。

1999年6月收購MicroUnity Systems Engineering Inc.旗下業(yè)務(wù)部門MaskTools，使得公司在先進技術(shù)節(jié)點方面可以提供最完整的解決方案，改善了公司光刻機的掃描和成像能力，顯著增加了聚集深度，擴大了光刻窗口，提高了芯片產(chǎn)量；2001年5月完成收購Silicon Valley Group, Inc.（SVG），掌握了投影掩罩瞄準(zhǔn)技術(shù)、掃描技術(shù)，極大的提升了公司產(chǎn)品的技術(shù)，并在美國擁有了研發(fā)生產(chǎn)基地；2007年3月完成收購光刻解決方案提供商Brion Technologies，掌握了計算光刻技術(shù)（包括分辨率增強技術(shù)RET以及光學(xué)鄰近效應(yīng)修正OPC），計算光刻技術(shù)能使半導(dǎo)體制造商得以對制作出的集成電路圖形進行仿真，并可更正掩模圖形，從而優(yōu)化制造工藝，提高成品率，涉足的領(lǐng)域包括設(shè)計驗證；2013年5月30日完成對光學(xué)技術(shù)提供商Cymer的收購，為公司量產(chǎn)EUV設(shè)備提供決定性信用；2016年11月5日收購Carl Zeiss SMT的24.9%股權(quán)，以強化雙方在半導(dǎo)體微影技術(shù)方面的合作，為發(fā)展下一代EUV系統(tǒng)奠定基礎(chǔ)；2016年11月22日完成收購臺灣漢微科Hermes Microvision Inc. (HMI)，以強化將公司的全方位微影技術(shù)解決方案（包括微影曝光系統(tǒng)、運算微影及量測）。

3、不斷投入研發(fā)，適時更新產(chǎn)品

光刻機是技術(shù)含量極高的設(shè)備，廠商每年需要投入巨額的資金用于研發(fā)。ASML極其重視研發(fā)，并對研發(fā)創(chuàng)新始終保持開放態(tài)度。公司每年的研發(fā)投入都在營業(yè)收入的15%左右。 如此大的研發(fā)投入，也讓公司能適時推出滿足市場需求的新品。

ASML的光刻機產(chǎn)品線分為PAS系列和采用TWINSCAN系統(tǒng)的AT系列、XT系列、NXT系列和NXE系列。其中PAS系列光源多為高壓汞燈光源，PAS 2000和PAS5000系列現(xiàn)已停產(chǎn)，PAS5500系列還在為產(chǎn)業(yè)發(fā)揮作用；TWINSCAN AT系列屬于老型號，已經(jīng)停產(chǎn)。市場上主力機種是XT系列以及NXT系列，為ArF和KrF激光光源，XT系列是成熟的機型，分為干式和浸液式兩種，而NXT系列則是現(xiàn)在主推的高端機型，全部為浸液式。NXE系列EUV機臺主要針對10納米以下的制程節(jié)點。

公司成立當(dāng)年，推出了公司第一款產(chǎn)品PAS 2000型光刻機，采用油壓驅(qū)動，技術(shù)落后同行。隨后靠著飛利浦原有的技術(shù)積累和合作伙伴Carl Zeiss等的支持，1987年推出步進式設(shè)備PAS 2500/40，該型光刻機可與當(dāng)時同類最佳機臺媲美；1989年推出PAS 5000系統(tǒng)；1991年推出PAS 5500系統(tǒng)。

2000年8月出貨首臺TWINSCAN AT:700S，這是公司的重大技術(shù)突破，實現(xiàn)了雙平臺工作，可同時處理兩張12寸晶圓，生產(chǎn)效率倍增。

2000年以前的光刻設(shè)備，只有一個工件臺，晶圓片的對準(zhǔn)與刻蝕流程都在上面完成。公司在 2000年推出的TWINSCAN雙工件臺系統(tǒng)，是光刻機行業(yè)的一大進步。雙工件臺的出現(xiàn)，使得光刻機能夠在不改變初始速度和加速度的條件下，當(dāng)一個工件臺進行晶圓曝光的同時，另外一個工件臺進行曝光之前的預(yù)對準(zhǔn)工作，并在第一時間得到結(jié)果反饋，生產(chǎn)效率提高大約35%。雙工件臺系統(tǒng)雖然僅是加一個工件臺，但技術(shù)難度卻不容小覷，對工件臺轉(zhuǎn)移速度和精度有非常高的要求。如果工件臺轉(zhuǎn)換速度慢，則影響工作效率；如果工件臺轉(zhuǎn)換精度不夠，則會影響后續(xù)的掃描光刻的正常開展。ASML的TWINSCAN導(dǎo)軌式雙工作臺系統(tǒng)采用其獨家的磁懸浮驅(qū)動，使得系統(tǒng)能克服摩擦系數(shù)和阻尼系數(shù)，其加工速度和精度遠(yuǎn)超機械式和氣浮式工作臺。今天，ASML更是開發(fā)出了無導(dǎo)軌式的平面編碼磁懸浮工作臺系統(tǒng)，通過平面編碼進行精確定位，從而進一步提高了工作臺轉(zhuǎn)換精度。

2004年推出首臺浸液式設(shè)備TWINSCAN XT:1250i，2007年推出首臺商用浸液式設(shè)備TWINSCAN XT:1900i，加速工藝往前推進。

在EUV方面：2010年推出首臺EUV設(shè)備TWINSCAN NXE:3100系統(tǒng)，與之前的光刻機相比，能夠使用更短波長的光，使得客戶可以制造更小規(guī)格的產(chǎn)品，在同一塊芯片上集成更多的晶體管。2013年推出TWINSCAN NXE:3300B光刻機，在13.5納米波長理進行光刻，同軸照明解析度提升至22納米，采用離軸照明解析度提升可達18納米，產(chǎn)率為55wph；2015年推出的TWINSCAN NXE:3350B產(chǎn)率已經(jīng)來到80wph；到2017年推出TWINSCAN NXE:3400B光刻機，解析度提升至13納米，產(chǎn)率高達125wph。為了發(fā)展下一代EUV微影系統(tǒng)，ASML不惜投入巨資，2016年11月以10億美元收購Carl Zeiss SMT的24.9%股權(quán)，此外還將投入巨額研發(fā)資金，首先一次性投入是2.44億美元，之后6年將投入6億美元，這次合作預(yù)計投入將近20億美元，雙方合作的成果就是將推出數(shù)值孔徑（NA）不低于0.5的EUV光刻系統(tǒng)，到時產(chǎn)率可望達185wph。

4、外包聯(lián)合開發(fā)，構(gòu)建以ASML為核心產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)合體

作為集成電路制造中最精密復(fù)雜、難度最高、價格最昂貴的設(shè)備，光刻機所需零部件多達數(shù)萬個，對誤差和穩(wěn)定性的要求極高，如此多的零部件和核心技術(shù)，如果由一家公司壟斷難以相信。

ASML從成立開始就沒有做垂直整合，而是實行輕資產(chǎn)策略。在把控核心技術(shù)（光刻曝光技術(shù)）的同時，依靠全球產(chǎn)業(yè)鏈分工合作的方式，采取模塊化外包協(xié)同聯(lián)合開發(fā)策略。該策略使ASML得以集世界光刻頂級技術(shù)之大成。如光學(xué)鏡頭部件由德國Carl Zeiss生產(chǎn)，光源由美國的Cymer（現(xiàn)ASML子公司）提供，計量設(shè)備則由美國的Keysight（Agilent/Hewlett-Packard）制造，傳送帶則來自荷蘭VDL集團。正是有了如此多的各細(xì)分領(lǐng)域中的頂尖供應(yīng)商的協(xié)同創(chuàng)新，公司可以把主要的研發(fā)力量集中在確定客戶需求和系統(tǒng)整合上，從而迅速占領(lǐng)了世界光刻機的制高點。

零部件模塊化外包策略在降低了ASML 的研發(fā)風(fēng)險和資金成本的同時，也構(gòu)建了以ASML為核心的產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)合體。ASML的研究團隊與供應(yīng)商及全球頂尖的科研機構(gòu)、大學(xué)建立廣泛的合作，采用開放式創(chuàng)新模式，大家在利己最擅長的尖端技術(shù)領(lǐng)域進行創(chuàng)新，分享專利成果和研發(fā)風(fēng)險，合作伙伴也可以將這些技術(shù)用于其他領(lǐng)域。并且鼓勵供應(yīng)商在制造過程中提出改進意見，具有極高的效率和靈活性。

2012年7月9日，公司宣布一個“Customer Co-Investment Program”，該計劃允許其大客戶對ASML進行少數(shù)股權(quán)投資，并承諾為ASML未來計劃的研發(fā)支出作出承諾。該計劃在2012年10月完成，英特爾、臺積電、三星總計以38億歐元的代價取得23%的股份，并另外出資13.8億歐元支持ASML未來五年的EUV技術(shù)研發(fā)，助其快速實現(xiàn)量產(chǎn)，以及獲得EUV設(shè)備的優(yōu)先購買權(quán)。也許是由于美國、韓國、中國臺灣三地工程師的天馬行空的想法，EUVV光刻機得以快速成熟起來。

5、主動出擊，全力拓展新興市場，擴大發(fā)展空間

成立之初，ASML的客戶主要是飛利浦。

由于ASMI創(chuàng)辦人Arthur del Prado的緣故，他認(rèn)為半導(dǎo)體的主戰(zhàn)場就在美國，所以ASML在成立后的第二年就在位于美國亞利桑那州的TEMPE設(shè)立據(jù)點，以把握全球最新的半導(dǎo)體技術(shù)動態(tài)，1986年產(chǎn)品正式進入美國市場，到1999年美國占其營收的35%。

1987年由于飛利浦在臺灣合資成立臺積電，ASML立即跟隨在臺灣新竹設(shè)立辦事處，1999年臺灣占其營收的24%。

1989年在韓國設(shè)立辦事處，1990年產(chǎn)品正式進入，由于三星、現(xiàn)代和LG紛紛進入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，韓國市場迅速爆發(fā)，從1995年到1998年就出貨多達100臺，1999年韓國為其貢獻營收高達3億歐元，占其總營收的27%。

1999年初，ASML在香港設(shè)立地區(qū)總部，統(tǒng)管亞太業(yè)務(wù)；2000年依靠代理商Nissei Sangyo首次進入日本市場，包括針對130納米的PAS 5500 / 750E（KrF 248nm）和針對280納米的PAS 5500 / 400C（業(yè)界首款i-line）。

在中國大陸，從1988年清華大學(xué)向ASML訂購了首臺PAS 5000光刻機起，到2004年已經(jīng)向中國發(fā)貨達到100臺。

1998年公司開始活躍于俄羅斯市場，2001年設(shè)備正式進入俄羅斯，目前以PAS 5500系列為主。

由于ASML對半導(dǎo)體新興市場的主動出擊，公司獲得了極大的發(fā)展。1999年公司營收首次突破10億歐元，達到12億歐元；而2000年時營收更是突破20億歐元大關(guān)，達到27億歐元；2017年全球營收超過90億元，其中光刻機營收約64億美元。

五、國產(chǎn)光刻機的發(fā)展

1、歷史

我國光刻機設(shè)備的研制起步也不晚。從1970年代開始就先后有清華大學(xué)精密儀器系、中科學(xué)院光電技術(shù)研究所、中電科45所投入研制。

清華大學(xué)精密儀器系是我國歷史最悠久的工程學(xué)科院系之一，建有“精密測試技術(shù)與儀器”國家重點實驗室。1970年代，研制開發(fā)了分步重復(fù)自動照相機、圖形發(fā)生器、光刻機、電子束曝光機工件臺等半導(dǎo)體設(shè)備，其中“分步相機”應(yīng)用于全國100多個廠家，受到好評。

中科學(xué)院光電技術(shù)研究所是中國光刻設(shè)備的最早研制機構(gòu)之一，在1980年研制出首臺光刻機，分辨率3μm，屬于接觸/接近式；1991年研制出分辨率1um同步輻射 X-射線光刻機；1993年研制出g線1.5um的分布重復(fù)投影光刻機，產(chǎn)率達32wph；1997年自主研發(fā)完全“0.8-1um分步重復(fù)投影光刻機”。

中電科45所也是我國最早從事光刻機研發(fā)的骨干單位之一。當(dāng)1978年世界上第一臺量產(chǎn)型g線分步投影光刻機在美國問世后，45所就投入了分步投影光刻機的研制工作，1985年研制我國同類型第一臺 g線1.5um分步投影光刻機，在1994年推出分辨率達0.8um的分步投影光刻機，2000年推出分辨率達0.5um實用分步投影光刻機。

2、現(xiàn)狀

2002年國家在上海組建上海微電子裝備有限公司承擔(dān)“十五”光刻機攻關(guān)項目時，中電科45所將從事分步投影光刻機研發(fā)任務(wù)的團隊整體遷至上海參與其中。目前，我國從事集成電路前道制造用光刻機的生產(chǎn)廠商只有上海微電子（SMEE）和中國電科（CETC）旗下的電科裝備

上海微電子裝備（集團）股份有限公司(SMEE)是國內(nèi)技術(shù)最領(lǐng)先的光刻機研制生產(chǎn)單位，目前已量產(chǎn)的光刻機有三款（見下表），其中性能最好的是90nm光刻機。2016年國內(nèi)首臺前道i線掃描光刻機交付用戶。2017年4月公司承擔(dān)的國家02重大科技專項任務(wù)“浸沒光刻機關(guān)鍵技術(shù)預(yù)研項目”通過了國家正式驗收；10月公司承擔(dān)的02重大科技專項“90nm光刻機樣機研制”任務(wù)通過了02專項實施管理辦公室組織的專家組現(xiàn)場測試。

電科裝備光刻機是依托原來中電科45所的技術(shù)，45所從“六五”開始一直從事光刻機的研制開發(fā)工作，先后完成我國“六五”、“八五”、“九五”期間的1.5微米、0.8微米、0.5微米光刻機的研制任務(wù)。2002年分步投影光刻機研發(fā)團隊遷至上海后，目前公司主要研制生產(chǎn)用于100mm/150mm中小規(guī)模集成電路、二極管、三極管、電力電子器件、MEMS和其它半導(dǎo)體器件制造工藝的單/雙面接觸接近式光刻機產(chǎn)品。

3、重大突破

曝光系統(tǒng)方面：2017年6月21日，中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所牽頭研發(fā)的“極紫外光刻關(guān)鍵技術(shù)”通過驗收。長春光機所自1990年代起專注于EUV/X射線成像技術(shù)研究，著重開展了EUV光源、超光滑拋光技術(shù)、EUV多層膜及相關(guān)EUV成像技術(shù)研究，形成了極紫外光學(xué)的應(yīng)用技術(shù)基礎(chǔ)。2002年，研制國內(nèi)第一套EUV光刻原理裝置，實現(xiàn)了EUV光刻的原理性貫通。2008年02專項將EUV光刻技術(shù)列為“32-22nm裝備技術(shù)前瞻性研究”重要攻關(guān)任務(wù)。以長春光機所牽頭的項目研究團隊歷經(jīng)八年的潛心鉆研，突破了制約我國極紫外光刻發(fā)展的超高精度非球面加工與檢測、極紫外多層膜、投影物鏡系統(tǒng)集成測試等核心單元技術(shù)，成功研制了波像差優(yōu)于0.75nm RMS 的兩鏡EUV 光刻物鏡系統(tǒng)，構(gòu)建了EUV光刻曝光裝置，國內(nèi)首次獲得EUV投影光刻32nm線寬的光刻膠曝光圖形，建立了較為完善的曝光光學(xué)系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)平臺。

雙工件臺系統(tǒng)：北京華卓精科科技股份有限公司（834733）是我國光刻機雙工件臺系統(tǒng)的研發(fā)單位，2015年1月，“45nm浸沒式光刻機雙工件臺系統(tǒng)樣機優(yōu)化設(shè)計”通過了詳細(xì)設(shè)計評審；2015年4月，“65nmArF干式光刻機雙工件臺”通過整機詳細(xì)設(shè)計評審，具備投產(chǎn)條件。目前，65nm光刻機雙工件臺已獲得多臺訂單。接下來公司要完成28nm及以下節(jié)點浸沒式光刻機雙工件臺產(chǎn)品化開發(fā)并具備小批量供貨能力，為國產(chǎn)浸沒光刻機產(chǎn)品化奠定堅實基礎(chǔ)。作為世界上第二家掌握雙工件臺核心技術(shù)的公司，華卓精科成功打破了ASML公司在工件臺上的技術(shù)壟斷。

中科院光電所研制出來的SP光刻機是世界上第一臺單次成像達到22納米的光刻機，結(jié)合多重曝光技術(shù)，可以用于制備10納米工藝。SP光刻機利用表面等離子體超衍射光學(xué)光刻的原理，能刻出相當(dāng)于光源波長十分之一甚至二十分之一分辨率的產(chǎn)品。

曝光系統(tǒng)和雙工件臺系統(tǒng)的成功，為我國高端光刻機的研發(fā)生產(chǎn)提供了奠定堅實基礎(chǔ)。SP光刻機的研發(fā)成功，給我國光刻機裝備的追趕帶來了曙光。

六、如何看我國半導(dǎo)體裝備業(yè)的發(fā)展

02重大專項以培育真正可用產(chǎn)品、做大做強企業(yè)為目標(biāo)，實施的“下游考核上游，整機考核部件，應(yīng)用考核技術(shù)，市場考核產(chǎn)品”考核制，保證了科研成果的實用性，成就了一大批經(jīng)得起市場檢驗的高端產(chǎn)品。電科裝備的化學(xué)機械拋光設(shè)備（CMP）、上海微電子的光刻機、北方華創(chuàng)的刻蝕機和CVD、盛美的清洗設(shè)備、中微的刻蝕機等都是非常有競爭力的，很多產(chǎn)品已經(jīng)走出國門，或者與國外裝備同步驗證。

客觀地講，這些都是最近幾年中國半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)的亮點。當(dāng)然這些成績也只是國產(chǎn)裝備的初步發(fā)展，要真正做到國產(chǎn)高端裝備全面進入市場還有很長的路要走。

首先，裝備與工藝的結(jié)合問題，一直是制約國產(chǎn)裝備進入大生產(chǎn)線的主要瓶頸之一。國際半導(dǎo)體裝備廠商，特別是關(guān)鍵的、與工藝密切相關(guān)的前道設(shè)備廠商在工藝研發(fā)上投入巨大，一般都建有相應(yīng)的工藝研發(fā)生產(chǎn)線。而目前國內(nèi)半導(dǎo)體裝備廠商還沒有建立自己的工藝研發(fā)生產(chǎn)線。工藝固化到裝備中，我們還有不小的距離。

第二，堅持自主研發(fā)，從零部件入手，掌控核心技術(shù)。國家重大專項對半導(dǎo)體設(shè)備與工藝的重視，對國產(chǎn)裝備業(yè)來說是莫大的發(fā)展機會。我國不僅要支持關(guān)鍵裝備的研發(fā)生產(chǎn)，也要支持相關(guān)重要零部件廠商。

第三，協(xié)同創(chuàng)新，成果共享。目前半導(dǎo)體裝備越來越復(fù)雜，一家公司獨自承擔(dān)所有零部件的開發(fā)確實不易。我們應(yīng)該利用整個國家、甚至于全球的資源來共同完成。

正如02重大專項技術(shù)總師葉甜春所說，發(fā)展裝備業(yè)，要采取產(chǎn)業(yè)鏈、創(chuàng)新鏈、金融鏈有效協(xié)同的新模式，專項與重點區(qū)域產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃協(xié)同布局，主動引導(dǎo)地方和社會的產(chǎn)業(yè)投資跟進支持，有效推動專項成果產(chǎn)業(yè)化，扶植企業(yè)做大做強，形成產(chǎn)業(yè)規(guī)模，提高整體產(chǎn)業(yè)實力。

衷心希望有更多的社會資本能投入中國半導(dǎo)體裝備業(yè)中。半導(dǎo)體裝備的國產(chǎn)化遠(yuǎn)比芯片國產(chǎn)化有意義！