三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業(yè)界首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數(shù)據(jù)寫入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號(hào)響應(yīng)時(shí)間也大幅縮短到50微秒。

為了實(shí)現(xiàn)上述所有的改進(jìn)，新一代V-NAND采用了96層層堆疊設(shè)計(jì)，它們堆疊成金字塔狀結(jié)構(gòu)，中間有微小孔，這些小孔用作通道，尺度僅有幾百微米寬。這種制造方法包括了許多先進(jìn)技術(shù)，比如電路設(shè)計(jì)、新工藝技術(shù)等。具體細(xì)節(jié)三星未詳述，但該公司稱，V-NAND的改進(jìn)讓每個(gè)存儲(chǔ)層的厚度已經(jīng)削薄了20%，并使其生產(chǎn)效率提高了30%以上。
 

據(jù)了解，三星目前正在全力擴(kuò)大第五代V-NAND 3D堆疊閃存的生產(chǎn)線以增加產(chǎn)量。另外還有消息稱，三星正在計(jì)劃開發(fā)1TB（128GB）容量的QLC V-NAND閃存顆粒，來降低超大容量的SSD產(chǎn)品售價(jià)，以滿足服務(wù)器、超算等高密度存儲(chǔ)領(lǐng)域需求。