目前在美國正在舉辦Flash Memory Summit，各家存儲設(shè)備廠商都開始介紹自家的最新產(chǎn)品。其中SK海力士就宣布推出全球首款4D內(nèi)存，未來可以制造容量高達64TB的U.2 SSD，采用CTF（Charge Trap Flash，電荷捕獲型）架構(gòu)，使存儲單元面積更小、速度更快、更耐用（P/E次數(shù)多）。與傳統(tǒng)架構(gòu)相比，4D NAND的外圍電路（PUC，Peri.Circuits）位于存儲單元下方，可縮小芯片面積、縮短處理工時、降低成本。

從SK海力士給出的資料圖中可以看到，SK海力士4D NAND初期是96層堆疊的512Gb TLC，I/O接口速度1.2Gbps（ONFi 4.1標準），預(yù)計將在今年Q4送樣。SK海力士將基于4D NAND推出BGA封裝（16mmx20mm）容量高達2TB的SSD，U.2 eSSD容量可達64TB，預(yù)計將在2019上半年送樣。

SK海力士宣布業(yè)內(nèi)首款4D閃存：512Gb TLC、年末出樣

BGA封裝的可以做到1Tb（128GB），模組最大2TB，塞到2.5寸的U.2中更是可以做到64TB，2019年上半年出樣。

性能方面，V5 4D芯片面積相較于V4 3D減小20%、讀速提升30%、寫速提升25%。

另外，V5 4D也規(guī)劃了QLC閃存，通過96層堆疊，單Die最小1Tb，明年下半年出樣。

SK海力士宣布業(yè)內(nèi)首款4D閃存：512Gb TLC、年末出樣.

SK海力士表示采用BGA封裝的芯片可以達到1Tb的規(guī)格，其中使用4D閃存制造的U.2接口SSD最高容量可以達到64TB。并且和3D閃存相比，全新的V5 4D閃存芯片面積減少20%，而讀取速度提升了30%。

SK海力士內(nèi)部的4D閃存已經(jīng)推進到了128層堆疊，很快可以做到單芯片512GB，2025年做到單芯片8TB。目前，SK海力士的3D NAND是72層堆疊，單芯片最大512Gb（64GB），首款企業(yè)級產(chǎn)品PE4010已于今年6月份出貨給微軟Azure服務(wù)器。