2018年已經(jīng)過去，這一年發(fā)生了很多事情，有些促進了產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，比如人工智能技術(shù)的快速發(fā)展和一些應用的落地；有些則給產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來了一絲陰影，比如中興事件，以及逐漸升溫的中美貿(mào)易戰(zhàn)。但不管怎么樣，半導體產(chǎn)業(yè)必將會繼續(xù)向前發(fā)展。接下來，跟著國際電子商情一起來看看，2019年半導體存儲市場有哪些新的機會？哪些技術(shù)會有新的突破呢？

過去1年來，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)明顯與往年大不相同，在歷經(jīng)自2017年以來的繁榮后，內(nèi)存市場逐漸由于產(chǎn)能過剩、庫存增加，加上技術(shù)提升，以及中國廠商的加入，2018年，DRAM和NAND閃存(NAND Flash)開始出現(xiàn)供過于求、價格走跌的趨勢，并將延續(xù)到2019年。

就在1年前，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)還處于DRAM和NAND雙雙價量齊揚的繁榮周期，然而，從2018年第一季起，NAND市場開始下滑，DRAM市場也隨之在第三季之后走下坡。TrendForce內(nèi)存儲存研究(DRAMeXchange)預計，2019年的一整年都將會是供過于求的狀況。從DRAM市場來看，2016年下半年開始出現(xiàn)價格上揚，并延續(xù)到2018第三季仍處于高峰，在那之后才開始走緩。DRAMeXchange預計，目前這一波降價至少將持續(xù)到2019年第二季，降價幅度約10%~15%。

DRAM市場迅速飆升的主要成長動力來自于移動、服務器等應用需求。然而，當時由于晶圓廠產(chǎn)能不足以支撐快速成長的市場需求，導致供應短缺及價格飆升，同時也帶動了2017年的半導體市場成長。2018年DRAM市場持續(xù)這一波成長動能，并在第二季寫下歷年的營收新高記錄。

DRAMeXchange研究經(jīng)理黃郁璇以DRAM市場的主要驅(qū)動力——移動DRAM為例指出，自2016年下半年起，由于中國手機品牌崛起、手機內(nèi)存主流容量從2GB DRAM走向4GB，推動市場需求快速增加，加上季節(jié)性因素帶動，內(nèi)存價格開始突飛猛進，促使內(nèi)存原廠開始擴產(chǎn)以緩解市場短缺。這一周期直到2018第三季起才逐漸滿足市場需求，并隨著供貨持續(xù)往上爬升，預計從2018第四季起到2022上半年都將出現(xiàn)供過于求。

目前，盡管內(nèi)存價格松動，廠商仍在積極增加產(chǎn)能，甚至計劃擴廠或工藝轉(zhuǎn)進。她指出，“包括美光、三星、海力士(SK Hynix)、南亞(Nanya)、中國的福建晉華(JHICC)等原廠持續(xù)增加DRAM產(chǎn)出，預計將為市場增加22.9%的成長。”特別是智能手機等移動設(shè)備使用的低功耗、高密度DRAM，預計將在整體DRAM市場占41%。

除了移動DRAM，另一成長動力來自服務器。黃郁璇預計，從2019~2021的3年內(nèi)，移動DRAM仍占市場第一，但隨著服務器應用需求增加且更多元，可望在2021年后取代移動DRAM在原廠中的地位。

DRAMeXchange資深分析師劉家豪也強調(diào)，服務器是近幾年來驅(qū)動DRAM產(chǎn)值的關(guān)鍵推手，特別是數(shù)據(jù)中心。在Google、Amazon、微軟和Facebook，以及中國因特網(wǎng)三巨頭(BAT—包括百度、阿里巴巴和騰訊)的推動下，可望使2019年服務器DRAM維持3.7%的單位成長，其中來自北美ODM的需求動力約占9.8%，中國內(nèi)需市場需求則將近三成。

未來，劉家豪指出，5G將會是驅(qū)動內(nèi)存市場的關(guān)鍵技術(shù)，包括在5G及其基礎(chǔ)設(shè)施落實之前驅(qū)動服務器需求，以及在落實5G之后將催生來自邊緣運算以及物聯(lián)網(wǎng)/車聯(lián)網(wǎng)(IoT/IoV)的更多新需求。

5G、數(shù)據(jù)中心與邊緣計算將成為服務器DRAM需求增加的主要驅(qū)動力，并預計將在2021年后超越目前占主流的移動DRAM應用

NAND Flash市場的發(fā)展重點在于3D NAND。NAND Flash供應商長久以來一直在積極推動從當今的平面NAND轉(zhuǎn)向3D NAND。不過，去年，NAND Flash市場同樣受到產(chǎn)品短缺、供應鏈問題和技術(shù)轉(zhuǎn)型困難的種種挑戰(zhàn)。

Semico Research總裁Jim Feldhan指出，NAND Flash近來的市場發(fā)展基本上與DRAM大致相同，但DRAM自第四季開始起降價，而NAND Flash市場自2018年第一季起即出現(xiàn)供過于求，并持續(xù)了一整年，產(chǎn)品價格也大幅下滑。

Objective Analysis分析師Jim Handy也表示，“NAND Flash市場供過于求且價格下跌(2018年第一季)的時間比DRAM市場更早。其現(xiàn)貨價格甚至比2017年底的高峰時期更低了79%。”

根據(jù)DRAMeXchange的資料，2018年10月TLC NAND Flash顆粒與晶圓的合約價格跌幅高達13~17%，這是自2017年11月以來的單月最大跌幅。展望2019年，盡管原廠開始抑制擴產(chǎn)，但由于上半年的淡季加上庫存水平仍高，供過于求的情況只會更加顯著，預估第一季合約價將再進下跌約10%。花旗銀行的分析更估計2019年NAND Flash將大幅降價45%，甚至在第二季之前還看不到價格底線，各大內(nèi)存廠商必須盡早預做準備。

事實上，NAND Flash市場的前景仍不明朗。根據(jù)Semico Research的數(shù)據(jù)顯示，2018年的2月、5月與7月，NAND價格分別下滑了5.3%、5.0%及8.1%，但8月和9月的價格卻又分別上漲了13.3%和14.1%。

但無論是DRAM還是NAND Flash，2019年的內(nèi)存市況看起來似乎較為黯淡。不僅內(nèi)存價格將持續(xù)走跌，甚至可能出現(xiàn)大幅下滑的趨勢，特別是2019年下半年。而且，很可能如同Handy預計的，在2019年，“DRAM和NAND Flash市場很可能一整年都‘無利可圖’，因為這些芯片幾乎都將以成本價出售！”