過(guò)去兩年，存儲(chǔ)器芯片是驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出強(qiáng)勁增長(zhǎng)的驅(qū)動(dòng)因素。隨著存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的升級(jí)換代與產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃都已經(jīng)完成或接近尾聲，預(yù)計(jì)今年DRAM和NAND Flash資本支出共416億美元，較去年大幅減少104億美元……
IC Insights預(yù)計(jì)，2019年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)資本支出將占今年半導(dǎo)體總資本支出總額的43%，低于2018年的49%(圖1)。預(yù)計(jì)2019年半導(dǎo)體總資本支出將下滑8%，至978億美元，低于2018年創(chuàng)紀(jì)錄的1059億美元。
IC Insights公布數(shù)據(jù)顯示，存儲(chǔ)器設(shè)備資本支出占產(chǎn)業(yè)支出比重在過(guò)去7年內(nèi)大幅增加，從2013年的27%（147億美元）增長(zhǎng)至2018年的49%（520億美元），若今年以43%（416億美元）計(jì)算，等同于2013-2019年復(fù)合年成長(zhǎng)率18.9％。
2017至2018年資本投入最多的IC產(chǎn)品子類(lèi)是NAND Flash和非易失性存儲(chǔ)器。不過(guò)，在過(guò)去的18個(gè)月，隨著三星、SK海力士和美光增加DRAM和NANDFlash產(chǎn)量，而英特爾、東芝存儲(chǔ)器、西部數(shù)據(jù)、SanDisk、武漢新芯、以及長(zhǎng)江存儲(chǔ)等廠(chǎng)都在加速擴(kuò)充3D NAND產(chǎn)能，導(dǎo)致DRAM和NAND Flash都進(jìn)入供過(guò)于求的市場(chǎng)局面，價(jià)格開(kāi)始走低。
IC Insights預(yù)計(jì)，2019年DRAM和閃存領(lǐng)域的資本支出將分別下降19%和21%(圖2)。存儲(chǔ)器資本支出總額預(yù)計(jì)為416億美元，比去年減少104億美元。主要存儲(chǔ)器廠(chǎng)商希望通過(guò)大幅降低DRAM和閃存資本開(kāi)支，來(lái)避免未來(lái)一年半價(jià)格繼續(xù)走低。
暴跌的單位存儲(chǔ)價(jià)格，以及2019年將大幅收縮的存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)資本開(kāi)支，都證明了存儲(chǔ)器市場(chǎng)格局已經(jīng)逆轉(zhuǎn)。而何時(shí)止跌，很大程度上取決于存儲(chǔ)器廠(chǎng)商如何調(diào)節(jié)資本開(kāi)支，以及低價(jià)能否刺激市場(chǎng)需求增加。
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