英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達(dá)成協(xié)議，將聯(lián)合開(kāi)發(fā)采用松下電器的常閉式（增強(qiáng)型）硅基板氮化鎵（GaN）晶|體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼（SMD）封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶|體管結(jié)構(gòu)的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來(lái)的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開(kāi)關(guān)。迄今為止，沒(méi)有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合。雙方商定不披露任何其他合同細(xì)節(jié)。

 

作為新一代化合物半導(dǎo)體技術(shù)，硅基板GaN技術(shù)備受關(guān)注。一方面，它可以實(shí)現(xiàn)很高的功率密度，從而縮小設(shè)備的外形尺寸（如電源和適配器）；另一方面，它是提高能效的關(guān)鍵。一般而言，基于硅基板GaN技術(shù)的功率器件適用于各種領(lǐng)域，從高壓工業(yè)設(shè)備，如服務(wù)器電源（這也是600V GaN器件的潛在應(yīng)用領(lǐng)域之一），到低壓設(shè)備，如直流-直流轉(zhuǎn)換器（如在高端消費(fèi)電子產(chǎn)品中）。IHS發(fā)布的市場(chǎng)研究報(bào)告顯示，與硅基板GaN技術(shù)相關(guān)的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，將以高達(dá)50%以上的復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）增長(zhǎng)，也就是說(shuō)，到2023年，其市場(chǎng)容量將從2014年的1500萬(wàn)美元，增至8億美元。

 

英飛凌科技股份公司電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部總裁Andreas Urschitz表示：“英飛凌致力于為客戶提供各式各樣、出類(lèi)拔萃的產(chǎn)品和技術(shù)組合，包括可靠的GaN功率器件。我們堅(jiān)信，增強(qiáng)模式硅基板GaN開(kāi)關(guān)器件，結(jié)合我們相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)器和優(yōu)化驅(qū)動(dòng)方案，將為客戶創(chuàng)造價(jià)值，同時(shí)，這種雙重貨源概念將幫助客戶管理和穩(wěn)定其供應(yīng)鏈。”

 

松下電器半導(dǎo)體有限公司總裁Toru Nishida指出：“充分發(fā)揮我們?cè)诨衔锇雽?dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)，松下電器開(kāi)發(fā)的常閉型GaN功率技術(shù)采用了簡(jiǎn)單的配置和易于控制的機(jī)制。我們希望通過(guò)授權(quán)英飛凌使用我們的GaN功率技術(shù)中的常閉型GaN晶|體管結(jié)構(gòu)，促進(jìn)GaN功率器件的推廣。我們將對(duì)常閉型GaN技術(shù)進(jìn)行不斷創(chuàng)新，為打造滿足客戶需求的解決方案做出貢獻(xiàn)。”