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臺積電工藝線路圖:16納米防守,10納米反擊

關(guān)鍵字:臺積電16納米工藝  臺積電10納米工藝  FinFET工藝節(jié)點(diǎn)  電子模塊

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)近日宣布將推出精簡型、低功耗版本的16納米FinFET工藝,并公布其更先進(jìn)納米工藝技術(shù)藍(lán)圖;臺積電預(yù)定自今年中開始量產(chǎn)最新的16納米FinFET Plus (16FF+)工藝,并在2016年展開 10納米工藝生產(chǎn)。

 

在20納米芯片正式量產(chǎn)之后,臺積電宣布于2015年中開始量產(chǎn) 16FF+ 工藝,該公司并表示采用此新工藝的芯片性能可提升10%,功耗能比20納米芯片低50%,周期時(shí)間(cycle time)則是20納米芯片的兩倍。臺積電共同執(zhí)行長劉德音(Mark Liu)并在于美國硅谷舉行的年度技術(shù)大會上表示,該公司新工藝到今年底將有超過50款芯片投片(tape-out),包括應(yīng)用處理器、繪圖處理器(GPU)以及汽車、網(wǎng)絡(luò)處理器。

 

“我們正處于一個(gè)關(guān)鍵時(shí)期──今日我們不只要推動各自公司的成長,還要推動對以往不存在之新公司的搜尋;”劉德音表示:“我們的消費(fèi)性產(chǎn)品周期改變不多,改變的是產(chǎn)品設(shè)計(jì)與技術(shù)開發(fā)的節(jié)奏,在相同的時(shí)間框架之下,有越來越多工作必須要完成。”

 

劉德音指出,臺積電已經(jīng)與ARM合作進(jìn)行Cortex-A72處理器核心的開發(fā),利用 16FF+ 工藝讓其性能達(dá)到Cortex-A15的3.5倍,而功耗則減少了75%;他并指出,臺積電與ARM將繼續(xù)在下一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)行合作。

 

臺積電也開發(fā)了精簡型(compact)版本的16納米FinFET工藝,命名為16FFC,鎖定中低端智能手機(jī)、消費(fèi)性電子產(chǎn)品與穿戴式裝置使用;該工藝能將功耗降低超過50%,達(dá)到0.55伏特,預(yù)計(jì)在2016下半年開始產(chǎn)品投片。

 

“在16FF與16FF+方面,已經(jīng)在成本上有一些明顯的挑戰(zhàn),我們預(yù)期每閘成本也會升高;”市場研究機(jī)構(gòu)International Business Strategies執(zhí)行長Handel Jones表示:“我認(rèn)為他們已經(jīng)藉由16FFC工藝承認(rèn)了這一點(diǎn),16FFC將會獲得不少青睞,特別是因?yàn)樗麄兡芴峁┑凸陌姹尽?rdquo;

 

長時(shí)間以來臺積電與三星(Samsung)一直在16/14納米節(jié)點(diǎn)相互競爭──臺積電的16納米工藝與其他同業(yè)的14納米工藝性能相近,而三星則是在今年度的世界移動通訊大會(MWC)期間宣布其Galaxy S6智能手機(jī)將采用14納米芯片。臺積電的主管不愿意對市場競爭多做評論,而最后誰是贏家,從芯片產(chǎn)量可見分曉。

 

“三星聲稱他們已經(jīng)開始量產(chǎn)(14納米工藝),但我們還沒看到任何實(shí)際產(chǎn)品;”International Business Strategies的Jones提到了Exynos芯片:“如果三星現(xiàn)端段確實(shí)開始大量生產(chǎn),他們就領(lǐng)先了臺積電。”

10納米工藝節(jié)點(diǎn)看點(diǎn)

 

臺積電的16納米工藝技術(shù)預(yù)定今年夏天量產(chǎn),該公司也公布了眾所矚目的10納米工藝計(jì)劃;10納米工藝的邏輯閘密度會是16納米工藝的2.1倍,速度提升20%,功耗則降低40%。臺積電展示了采用10納米節(jié)點(diǎn)的256MByte容量SRAM,預(yù)計(jì)10納米節(jié)點(diǎn)將在2016年底開始生產(chǎn),并透露有10家以上的伙伴正進(jìn)行不同端段的設(shè)計(jì)。

 

“我們認(rèn)為10納米將會是持久技術(shù)節(jié)點(diǎn),臺積電也將加速10納米工藝進(jìn)度,我認(rèn)為這對產(chǎn)業(yè)界來說是一個(gè)很不錯(cuò)的征兆;”Jones表示:“隨著10納米節(jié)點(diǎn)加速進(jìn)展──他們可能最后會邁向8納米節(jié)點(diǎn)──臺積電將拉近與英特爾(Intel)的差距,我認(rèn)為臺積電運(yùn)勢正好。”

 

Jone指出,臺積電已經(jīng)在16納米以及10納米技術(shù)投資115億至120億美元,這意味著該公司必須要有客戶到位;為了強(qiáng)化10納米工藝的承諾,臺積電將在2016年第二季進(jìn)行一座新晶圓廠的10納米工藝設(shè)備裝機(jī),并將在本季在一座現(xiàn)有晶圓廠移入10納米設(shè)備。

英特爾將會是臺積電在10納米工藝節(jié)點(diǎn)的主要競爭者,前者預(yù)期在接下來10~18個(gè)月量產(chǎn)10納米工藝;而兩者之間的競爭重點(diǎn)或許不在于量產(chǎn)時(shí)程,而是英特爾的設(shè)計(jì)實(shí)力以及制造技術(shù)方面的問題。“還不清楚誰會在16/14納米工藝領(lǐng)先,但我認(rèn)為臺積電正積極嘗試在10納米節(jié)點(diǎn)超前;”Jone表示:“如果真是如此,臺積電追上了英特爾,屆時(shí)就要看臺積電的10納米與英特爾的10納米是否相同。”

產(chǎn)品目錄
MULTICOMP PRO
Kyet 科雅薄膜電容器
喬光電子(FTR)
采樣電阻
KINGSTATE(志豐電子)
君耀電子(Brightking)
RUBYCON電容原裝現(xiàn)貨供應(yīng)商
HAMAMATSU 濱松光電產(chǎn)品
傳感器
飛思卡爾開發(fā)工具 Freescale
嵌入式解決方案
自動化工業(yè)系統(tǒng)
網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)
行車記錄儀
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