最近有位半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析師針對(duì)英特爾(Intel)將在下兩個(gè)工藝世代使用的技術(shù)，提出了大膽且詳細(xì)的預(yù)測(cè)；如果他的預(yù)言成真，意味著芯片龍頭英特爾又將大幅超前其他半導(dǎo)體同業(yè)。

 

這位分析師David Kanter在他自己的網(wǎng)站發(fā)表一篇分析文章，指出英特爾將會(huì)在10納米節(jié)點(diǎn)采用量子阱(quantum well) FET；這種新的晶體管架構(gòu)將會(huì)采用兩種新材料──以砷化銦鎵(indium gallium arsenide，InGaAs)制作n型晶體管，以應(yīng)變鍺(strained germanium)制作p型晶體管。

 

 

英特爾曾在2009年的IEDM會(huì)議論文透露其正在開發(fā)的InGaAs制程技術(shù)
 

 

若預(yù)測(cè)正確，英特爾最快在2016年可開始生產(chǎn)10納米工藝晶體管，且功耗能比其他工藝技術(shù)低200毫伏(millivolts)；Kanter預(yù)期，其他半導(dǎo)體制造業(yè)者在7納米節(jié)點(diǎn)之前難以追上英特爾的技術(shù)，差距約是兩年。Kanter指出，英特爾可能還要花一年多的時(shí)間才會(huì)公布其10納米工藝計(jì)劃，而他自認(rèn)其預(yù)測(cè)有90%的準(zhǔn)確度。

 

英特爾曾在2009年的IEDM會(huì)議論文透露其正在開發(fā)的InGaAs工藝技術(shù)

 

Kanter的分析文章是根據(jù)對(duì)英特爾在年度IEEE國(guó)際電子組件會(huì)議(IEDM)發(fā)表的數(shù)十篇篇論文研究所得，此外還有英特爾與芯片制造相關(guān)的專利；他在接受EETimes美國(guó)版訪問時(shí)表示：“我所看到的一切都朝這個(gè)方向發(fā)展；問題應(yīng)該不在于英特爾會(huì)不會(huì)制作量子阱FET，而是他們會(huì)在10納米或7納米節(jié)點(diǎn)開始進(jìn)行。”

 

“在晶體管通道采用復(fù)合半導(dǎo)體材料并非只有英特爾一家在研究，但顯然到目前為止沒有人做到像英特爾所發(fā)表的這么多；”Kanter指出：“英特爾在鍺材料方面的論文與專利很少，但該技術(shù)較廣為人知。”此外他預(yù)期英特爾會(huì)采用純鍺，不過也可能會(huì)透過先采用硅鍺(silicon germanium)來達(dá)到該目標(biāo)。

 

Kanter并表示他在發(fā)表分析文章之前，曾提供內(nèi)容給英特爾看；不過該公司婉拒發(fā)表任何相關(guān)評(píng)論。