DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，觀察2017年第一季，供給方面因轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND Flash制程造成供貨減少，使得各項(xiàng)合約價(jià)格持續(xù)上揚(yáng)，但在終端需求方面較2016年第四季減少，預(yù)期NAND Flash品牌廠營(yíng)收仍將持續(xù)成長(zhǎng)，增幅稍微趨緩，而以全年度NAND Flash供應(yīng)預(yù)期都將吃緊的情況來(lái)看，2017年NAND Flash廠商的營(yíng)收仍可望逐季增加。20170310-NAND-1

三星電子

受惠于高容量eMMC與UFS需求和固態(tài)硬盤(pán)表現(xiàn)強(qiáng)勁，去年第四季三星NAND Flash除了位元出貨量季成長(zhǎng)11～15%外，平均銷售單價(jià)也成長(zhǎng)逾5%，NAND Flash營(yíng)收季成長(zhǎng)近20%。

三星在高容量eMMC/UFS及固態(tài)硬盤(pán)上市場(chǎng)份額領(lǐng)先，因此受惠價(jià)格上漲的程度更為顯著，而48層堆棧的3D-NAND Flash已順利導(dǎo)入全系列固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品線。

三星Line16廠持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND Flash，Line17與平澤廠的新產(chǎn)能貢獻(xiàn)將從第二季后將開(kāi)始提升，因此預(yù)估2017第一季位元出貨量將季衰退4～9%，位元成長(zhǎng)須待至第二季后才會(huì)顯著提高。

SK海力士

SK 海力士降低固態(tài)硬盤(pán)端供貨比重以應(yīng)對(duì)中國(guó)大陸品牌智能手機(jī)eMCP需求，去年第四季位元出貨量微幅下滑3%，但平均銷售單價(jià)則揚(yáng)升14%，營(yíng)收季成長(zhǎng)9%至11.56億美元。

2017年第一季SK 海力士面臨轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND Flash及第一季智能手機(jī)出貨減少等因素，預(yù)估位元出貨量將季衰退約0～5%，但在NAND Flash依舊吃緊的態(tài)勢(shì)下，平均銷售單價(jià)仍可望續(xù)揚(yáng)。

在3D-NAND Flash的進(jìn)度上，第一季SK 海力士3D-NAND Flash位出貨占比為10%，預(yù)期在48層堆棧與下半年將推出的72層堆棧3D-NAND Flash帶動(dòng)下，年底前3D-NAND Flash的產(chǎn)出比重將超越50%。

東芝電子

東芝電子64層堆棧的3D-NAND Flash產(chǎn)品相關(guān)對(duì)應(yīng)的產(chǎn)品下半年將放量生產(chǎn)，現(xiàn)階段在良率尚未顯著提升之際，48層堆棧的3D-NAND Flash成為上半年?duì)I運(yùn)的重點(diǎn)，而目前東芝3D-NAND Flash的產(chǎn)出比重較低，但年底維持超過(guò)產(chǎn)出的50%計(jì)劃不變。

西數(shù)

在位元出貨量與平均銷售單價(jià)均上漲的情況下，西數(shù)2017會(huì)計(jì)年度第二季的NAND Flash營(yíng)收大幅季成長(zhǎng)約20%。全系列固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品線表現(xiàn)強(qiáng)勁，顯現(xiàn)在合并閃迪的綜效已開(kāi)始顯現(xiàn)。

從產(chǎn)品面看，西數(shù)的64層堆棧3D-NAND Flash已經(jīng)在自家Retail產(chǎn)品開(kāi)始出貨，OEM產(chǎn)品的認(rèn)證過(guò)程也會(huì)在本季開(kāi)始進(jìn)行，預(yù)計(jì)整體3D-NAND Flash的產(chǎn)出比重在2017年底前將超過(guò)50%。

美光

受惠于整體NAND Flash市況供貨吃緊與需求強(qiáng)勁，美光2017會(huì)計(jì)年度第一季位元出貨量大幅季成長(zhǎng)26%，NAND Flash營(yíng)收也大幅季成長(zhǎng)27%，至12.72億美元。在營(yíng)收的產(chǎn)品分配上，因移動(dòng)終端與車用電子需求增加， 零部件顆粒銷售比重降至40%，移動(dòng)終端需求上升至23%，固態(tài)硬盤(pán)也微幅增加至15%，車用與其他工控類則是上升至20%。

產(chǎn)品規(guī)劃方面，美光3D-NAND Flash的產(chǎn)出比重已超越50%，是除三星外唯一產(chǎn)出比重超過(guò)50%的廠商，同時(shí)，美光下個(gè)世代的64層堆棧3D-NAND Flash也預(yù)計(jì)在今年下半量產(chǎn)，原有的2D-NAND Flash產(chǎn)品占比將下滑至10%左右，僅滿足原有利基型的應(yīng)用。

英特爾

受惠于企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)的強(qiáng)勁需求，讓英特爾2016年第四季位元出貨量季成長(zhǎng)25%以上，整體NAND Flash營(yíng)收也季成長(zhǎng)25%，至8.16億美元。產(chǎn)品規(guī)劃方面，英特爾20納米與25納米舊制程的產(chǎn)品減少，16納米與3D-NAND Flash（MLC架構(gòu)）的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)銷售比重則逐步放大，有助讓價(jià)格更具競(jìng)爭(zhēng)力，也有助成本下降與利潤(rùn)增加，另外，3D-NAND Flash （TLC架構(gòu)）的產(chǎn)品也開(kāi)始放量生產(chǎn)。