晶圓代工漲價(jià)根據(jù)平臺(tái)調(diào)整

“原材料在漲價(jià)，例如硅片、掩膜等漲價(jià)，因此我們也會(huì)適當(dāng)?shù)馗M(jìn)漲價(jià)，當(dāng)然這個(gè)漲幅有高有低，會(huì)根據(jù)平臺(tái)和市場(chǎng)需求調(diào)整。” 上海華力微電子有限公司副總裁舒奇日前接受國(guó)際電子商情采訪時(shí)表示。本刊此前報(bào)道，受硅晶圓漲價(jià)影響，一些熱門物料如MOSFET、NOR FLASH出現(xiàn)了漲價(jià)行情。從應(yīng)用端看，消費(fèi)類、物聯(lián)網(wǎng)需求的放量也帶動(dòng)了8寸、12寸晶圓產(chǎn)線的產(chǎn)能滿載。據(jù)了解，通常填線平臺(tái)此前生產(chǎn)價(jià)格較低的大眾類產(chǎn)品，如今已調(diào)整成市場(chǎng)價(jià)格。據(jù)悉，華力微一廠12寸55nm、40nm目前產(chǎn)能均呈飽滿態(tài)勢(shì)，值得關(guān)注的是隨著二廠建設(shè)和28nm研發(fā)進(jìn)程的推進(jìn)，將帶動(dòng)一批國(guó)內(nèi)IC設(shè)計(jì)客戶逐漸從55nm遷移至28nm。華力微電子目前的產(chǎn)線主要是邏輯、NOR FLASH芯片為主，主力55nm和40nm工藝，55nm邏輯芯片占業(yè)務(wù)多數(shù)，據(jù)透露較大型客戶每月出貨達(dá)到幾千片。NOR FLASH方面沒有提供更多產(chǎn)能。前不久，華力微與Cypress基于華力55納米低功耗工藝和Cypress SONOS知識(shí)產(chǎn)權(quán)開發(fā)的低功耗嵌入式閃存產(chǎn)品開始量產(chǎn)，主要定位于MCU和物聯(lián)網(wǎng)等低功耗應(yīng)用。2016年開始試量產(chǎn)，到2017年下半年會(huì)有更多客戶采用該技術(shù)及IP進(jìn)行完全量產(chǎn)。目前國(guó)內(nèi)有三家客戶，主要應(yīng)用在卡類和MCU。

二廠進(jìn)展順利，主力28nm，無(wú)懼建廠熱潮競(jìng)爭(zhēng)

華力微二廠已經(jīng)在建設(shè)當(dāng)中，據(jù)悉2017年底廠房封頂，18年上半年機(jī)臺(tái)搬入，18年下半年28nm部分量產(chǎn)，產(chǎn)能預(yù)計(jì)4萬(wàn)片每月?，F(xiàn)今，一廠的產(chǎn)能為3.5萬(wàn)片。此前，華力微宣布與聯(lián)發(fā)科合作的28納米移動(dòng)通信芯片已順利流片，但大規(guī)模量產(chǎn)還需將良率進(jìn)一步提高。

目前，根據(jù)統(tǒng)計(jì)，2016年中芯國(guó)際28納米晶圓產(chǎn)能全球占比不足1%，中芯國(guó)際希望2017年底28納米季度營(yíng)收占比接近10%。廈門聯(lián)芯將盡快導(dǎo)入 28 納米制程，預(yù)計(jì)第二季度進(jìn)入量產(chǎn)。在28納米制程上晶圓廠將展開競(jìng)爭(zhēng)，對(duì)此，舒總表示并不擔(dān)心。原因是28nm作為一個(gè)長(zhǎng)生命周期的節(jié)點(diǎn)將面對(duì)眾多客戶的需求，只要公司戰(zhàn)略布局合理,不擔(dān)心搶食市場(chǎng)的狀況出現(xiàn)。

從國(guó)內(nèi)客戶對(duì)工藝制程的需求來(lái)看，舒總表示，現(xiàn)在55nm客戶正在嘗試向28nm遷移，90nm、0.11μm，、0.13μm，客戶則將逐漸遷移至55nm、40nm。上海華力微電子有限公司副總裁舒奇

華力微的55nm制程不僅供應(yīng)給現(xiàn)有國(guó)外客戶，據(jù)稱，一批國(guó)內(nèi)客戶需求也相當(dāng)旺盛，舒奇表示目前的狀況即便壓縮大客戶的供應(yīng)，也不能全部滿足國(guó)內(nèi)客戶對(duì)55nm邏輯產(chǎn)品的需求?？梢钥吹絿?guó)內(nèi)客戶在邏輯工藝需求方面與日俱增。另一塊業(yè)務(wù)，NOR FLASH市場(chǎng)需求量也很大，倘若有產(chǎn)能有望去到每月幾萬(wàn)片。這也是我們需要擴(kuò)充產(chǎn)能的幾點(diǎn)原因。 中國(guó)各地已經(jīng)開始的晶圓代工廠建廠熱潮，在業(yè)界引發(fā)許多討論以及擔(dān)憂。舒奇認(rèn)為，國(guó)家大力推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，對(duì)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)重視有加，中國(guó)能夠自主建造存儲(chǔ)芯片和其他芯片，是一件好事。同時(shí)，建設(shè)晶圓代工廠也是一項(xiàng)耗費(fèi)資金的工程，真正落地并非容易。華力微二廠的投入達(dá)到387億元，這塊資金有國(guó)家的投入以及大基金的支持。是否會(huì)存在產(chǎn)能過剩的情況？舒奇表示，按目前來(lái)說看不到這樣的情況，倘若全部產(chǎn)能規(guī)劃運(yùn)轉(zhuǎn)，競(jìng)爭(zhēng)將相當(dāng)激烈。但華力微歡迎良性競(jìng)爭(zhēng)格局，有競(jìng)爭(zhēng)才能促進(jìn)發(fā)展。

FD-SOI方面，華力微拿到國(guó)家專項(xiàng)研發(fā)基金，已經(jīng)投入研發(fā)，正在準(zhǔn)備當(dāng)中。舒奇表示，如若FD-SOI市場(chǎng)反應(yīng)良好，即可啟動(dòng)產(chǎn)能。

ULP特色平臺(tái)，物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)應(yīng)用廣

華力微強(qiáng)調(diào)平臺(tái)多樣式，加強(qiáng)客戶服務(wù)，建設(shè)標(biāo)準(zhǔn)平臺(tái)的同時(shí)提供客制化平臺(tái)。據(jù)介紹，華力微現(xiàn)有工藝平臺(tái)包括55nm，40nm邏輯芯片，55nm CIS，55nmeFlash，65nm nor Flash，以及55nm ULP平臺(tái)等等。

55nm ULP平臺(tái)是一款超低功耗平臺(tái)，針對(duì)物聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)應(yīng)用所需。舒奇表示，物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的關(guān)鍵需求是超低功耗，從器件、到IP、到SoC芯片，典型值是工作功耗小于10mW；待機(jī)功耗小于1uW；工作電壓遠(yuǎn)低于正常邏輯平臺(tái)的工作電壓(約0.xV)；SRAM單元待機(jī)漏電在1pA級(jí)別。

正是根據(jù)這些功耗和漏電等技術(shù)規(guī)格要求，華力定制開發(fā)出55納米超低功耗工藝平臺(tái)，工藝特點(diǎn)沿用了通用型55納米低功耗工藝平臺(tái)的設(shè)計(jì)規(guī)格，優(yōu)化了平臺(tái)工藝的漏電性能，與以前的通用型55納米低功耗工藝平臺(tái)比較電壓降低了30%，功耗降低了20%。提供了eHVT和eLVT核心器件，支持核心工作電壓最低調(diào)降至0.9V，可以滿足廣闊的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用需求。

他指出，該工藝技術(shù)已成功量產(chǎn)，未來(lái)將結(jié)合射頻工藝以及嵌入式閃存工藝，提供客戶完整的穿戴式芯片方案。“我們相信這類超低功耗的市場(chǎng)應(yīng)用越來(lái)越大，也對(duì)芯片代工提出更高要求。未來(lái)ULP平臺(tái)可遷移至40nm、28nm制程工藝。”

邏輯芯片一直具有眾多應(yīng)用市場(chǎng)，涵蓋手機(jī)、射頻、物聯(lián)網(wǎng)，例如功能手機(jī)芯片現(xiàn)在仍然擁有巨大的出貨量，原因在于物聯(lián)網(wǎng)等新興市場(chǎng)的開拓。未來(lái)，華力微在55nm、40nm以及28nm，甚至更多產(chǎn)線和更先進(jìn)制程的建設(shè)研發(fā)上都將穩(wěn)步推進(jìn)。