第一季受到智能手機市場回溫、新機發(fā)表,以及行動式內存平均單價上漲的影響,全球行動式內存產值來到84.35億美元,較去年第四季提升約5.3%,再度刷新歷史記錄......電子制作模塊
根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查顯示,去年下半年智能手機的新機發(fā)布并未如預期帶來換機效應,因此自去年第四季中開始,市場提早進入傳統(tǒng)淡季。品牌廠在歷經3個月的庫存水位調節(jié)后,于今年二月底才見市場需求轉旺,并重啟拉貨動能,其中又以旗艦新機需求的大容量內存居多。整體而言,第一季受到智能手機市場回溫、新機發(fā)表,以及行動式內存平均單價上漲的影響,全球行動式內存產值來到84.35億美元,較去年第四季提升約5.3%,一反以往第一季營收衰退的軌跡,再度刷新歷史記錄。
展望第二季行動式內存產值表現,盡管合約價格漲幅趨緩,但受惠中國四大品牌華為、小米、OPPO、vivo的需求持續(xù)看旺,以及Android陣營、蘋果陣營旗艦新機主流搭載容量上升的影響,預估第二季行動式內存總產值仍有機會較第一季成長。
DRAMeXchange指出,以個別供貨商的營收表現來看,三星作為全球第一大的DRAM供貨商,最先受到中國發(fā)改委的關注,第一季及第二季的報價都因而較過去幾季收斂。行動式內存報價上的受限讓三星另謀出路,透過積極營銷大容量內存并且結合自家先進納米制程技術,成功取得多數的大容量訂單,交出第一季營收47.66億美元的亮眼成績,鰲占市場龍頭寶座。制程進度上,三星的行動式內存幾乎已全采18nm制程,僅少數LPDDR3 eMCP組合還有微量供應20nm產品。
SK海力士雖受惠第一季合約價格的上揚,但在新制程18nm初期良率不穩(wěn)、產能不足的影響下,無法擴大旗艦機種用LPDDR4系列大容量DRAM的交付數量,第一季營收僅季增2.2%。在行動內存的產品規(guī)劃方面,目前SK海士力仍以21nm的LPDDR4系列以及25nm微縮制程的LPDDR3供給為主,預估18nm產品(包含分離式以及eMCP)要到第三季才會普及,全年新制程滲透率恐低于10%。
美光集團第一季行動式內存營收達14.08億美元,較上一季成長10.2%,成長幅度居三大主流供貨商之冠,主要歸功于整體需求不減、價格上揚。在行動式內存制程技術方面,臺灣美光內存(原瑞晶)第二季產品規(guī)劃仍以提高17nm制程比重為主,而在臺灣美光晶圓科技(原華亞科)目前仍以20nm為主。其行動式內存產品規(guī)劃也改以LPDDR4系列為主流產品,預估全年占比將過半。
臺系廠商部分,南亞科受惠IDH廠因成本(BOM cost)考慮改采分離式(discrete DRAM+discrete Flash)取代eMCP,帶動LPDDR3 4Gb出貨增加,營收達9,600萬美元,較上一季成長19.1%。其行動式內存制程技術目前仍以30nm微縮制程為主,未來南亞科將持續(xù)提高20nm占比,以增加獲利空間。華邦第一季由于產品應用范圍較小,需求起伏不大,第一季營收為4,400萬美元,較上一季成長1.2%,表現平穩(wěn)。