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第二季DRAM營收成長11.3%再創(chuàng)新高

  

DRAMeXchange調查顯示,2018年Q2由于供給吃緊情況延續(xù),帶動整體DRAM報價走揚,DRAM營收較上季成長11.3%,再創(chuàng)新高…電子設計模塊

根據(jù)TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示,2018年第二季由于供給吃緊情況延續(xù),帶動整體DRAM報價走揚,DRAM總營收較上季成長11.3%,再創(chuàng)新高。除了繪圖用記憶體(graphic DRAM)仍受惠于虛擬挖礦(cryptocurrency)需求的增溫,帶動價格有15%顯著上漲外,其余各應用別的記憶體季漲幅約在3%左右。

展望第三季價格走勢,DRAMeXchange指出,PC-OEM廠已陸續(xù)在七月份議定合約價格。就一線大廠訂價來看,均價已來到34.5美元,較前一季上漲約1.5%,漲幅已大幅收斂。從市場面觀察,在需求端成長有限、供給端產能集中在下半年開出,加上現(xiàn)貨價持續(xù)走跌的趨勢下,預估第四季合約價恐難再有顯著漲幅,亦顯示整體DRAM價格的峰值(peak)已經到來。

觀察全球DRAM大廠營收表現(xiàn),三星穩(wěn)坐產業(yè)龍頭,營收再創(chuàng)歷史新高,來到112.1億美元,季增8.2%;SK海力士受惠于位元成長顯著,營收較前季大幅成長19.5%,達76.9億美元,亦幫助SK海力士于第二季奪回部分市占。兩大韓廠第二季營收市占率分別為43.6%與29.9%,合計約73.5%。

美光集團仍舊維持第三,亦持續(xù)扮演價格領先者(price leader),報價上漲幅度最高。然而因先前氮氣事件,美光第二季位元出貨僅與前一季相當,營收季增6.3%至55.4億美元,增幅相對較小,市占率較前一季下滑1個百分點,來到21.6 %。

觀察原廠獲利能力,三星的漲價幅度在三大廠中最小,除了因第一季基期較高,亦顯示先前中國反壟斷調查無形中已帶給三星壓力。此外,因其1Ynm目前僅在客戶驗證,可能要到第三季中旬才能放量,因此第二季營業(yè)利益率維持在69%。反觀另外兩廠,持續(xù)受到價格上漲與制程微縮所帶來的成本效益,SK海力士營業(yè)利益率從第一季的61%提升至63%,美光營業(yè)利益率則從58%拉升至60% ,為首次三大原廠營業(yè)利益率皆突破6成水準。

然而,展望下半年,除了供給端產能逐漸開出、各廠1X/1Ynm比重逐步提高外,三星報價模式也轉趨保守,皆暗示報價上漲的難度增加。此外,目前三大廠生產DRAM的平均毛利率已突破7成,已帶給買方巨大的BOM cost壓力,亦顯示出原廠的獲利能力可能已近高點。

由技術面觀察,三星今年除了維持1Xnm制程高產出比重外,部分Line 17擴產以及即將投入的平澤廠二樓DRAM產能,將繼續(xù)往下一代1Ynm制程轉進。隨著平澤廠產能擴增,預期1X+1Ynm產出比重在今年底合計將達70%,并于2019年持續(xù)提升。SK海力士已于去年底導入1Xnm的生產,然進入1Xnm世代制程難度高,SK海力士目前仍致力于提升良率,擴廠計畫則維持不變,中國無錫新建的第二座12吋廠將于今年底前完工,2019上半年開始貢獻產出。而美光方面,臺灣美光記憶體(原瑞晶) 1Xnm已完成100%轉換,并將于明年直接轉往1Znm,而臺灣美光晶圓科技(原華亞科)則于第二季開始進行20nm往1Xnm的轉換,預計今年底將可望有半數(shù)產能轉往1Xnm生產,并于明年上半年全數(shù)導入。

臺系廠商部分,南亞科第二季營收季增高達28.6%,除了歸功于20nm帶來明顯的位元成長和價格持續(xù)走揚外,第二季開始出清第一季的DDR3高庫存亦是一大重點。20nm的成本效益更帶動營業(yè)利益率來到46.8%,較上季成長2.5個百分點。然而,由于DRAM報價上漲不易,加上要開始攤提擴廠的折舊費用,南亞科未來的獲利能力恐受壓縮。

力晶科技方面,由于為晶豪科、愛普等IC設計業(yè)者代工的比重提高,力晶本身DRAM營收較上季下滑13.5%;華邦方面DRAM營收季成長8.7%,主要受惠于38nm比重持續(xù)提高。

DRAM Q218

 
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