SEMI對今年半導(dǎo)體設(shè)備市場的樂觀看法，全球設(shè)備支出金額可望如先前推測般維持明顯的年增率，全年支出金額亦會創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄。SEMI臺灣區(qū)總裁曹世綸表示，雖然受到傳統(tǒng)淡季影響，10月份北美半導(dǎo)體設(shè)備出貨金額連續(xù)4個月呈現(xiàn)下滑的趨勢，SEMI預(yù)估2017年整年度出貨金額與去年相較將有至少30%以上的成長，并且對2018年的半導(dǎo)體設(shè)備出貨市場抱持樂觀看法。

法人表示，下半年半導(dǎo)體設(shè)備支出雖低于上半年，但今年全年半導(dǎo)體設(shè)備出貨金額仍會創(chuàng)下新高，而且，明年上半年又將進(jìn)入設(shè)備支出旺季，包括無塵室工程設(shè)備廠漢唐及亞翔、晶圓傳載供應(yīng)商家登、設(shè)備代工廠京鼎及帆宣、半導(dǎo)體檢測廠閎康及宜特等半導(dǎo)體資本支出概念股，今年營運表現(xiàn)將優(yōu)于去年，明年也可望比今年好。

根據(jù)SEMI資料，雖然10月份半導(dǎo)體設(shè)備出貨金額已連續(xù)4個月出現(xiàn)下滑趨勢，但仍然連續(xù)8個月超過20億美元。業(yè)者指出，近10年來已難見到超過6個月維持在20億美元規(guī)模以上的情況，這代表下半年來自于先進(jìn)制程設(shè)備升級及擴建新生產(chǎn)線的需求仍然強勁。

今年存儲器廠的投資金額十分龐大，投資重點集中在3D NAND的制程與產(chǎn)能轉(zhuǎn)換的投資上，以及DRAM制程微縮的投資。

事實上，包括三星、東芝、SK海力士、美光等存儲器廠，第四季2D NAND產(chǎn)能移轉(zhuǎn)到3D NAND的速度正在加快，制程設(shè)備升級換新帶動高端設(shè)備出貨轉(zhuǎn)強。DRAM部份現(xiàn)階段仍沒有擴建新廠計劃，主要投資仍以20納米制程微縮至1x/1y納米為主。

在邏輯IC市場部份，英特爾、臺積電、三星等大廠已開始對明年的產(chǎn)能規(guī)劃進(jìn)行布局，英特爾計劃明年10納米進(jìn)入量產(chǎn)，臺積電及三星則是要搶在明年第一季量產(chǎn)7納米，對相關(guān)設(shè)備的龐大投資毫不手軟。